[發明專利]納米圖案的拼接方法、納米壓印板、光柵及制作方法

在審

• 申請號: 201910032180.4
• 申請日: 2019-01-14
• 公開（公告）號: CN109541885A
• 公開（公告）日: 2019-03-29
• 發明（設計）人: 賀芳;尹東升;顧仁權;何偉;徐勝;吳慧利;李士佩;黎午升;姚琪
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00;G02B5/18
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;賈玉

本發明提供一種納米圖案的拼接方法、納米壓印板、光柵及制作方法，屬于顯示技術領域，納米圖案的拼接方法包括：在形成有第一膜層的襯底基板上形成第一光刻膠層，對第一光刻膠層進行構圖，形成對應襯底基板上的待圖案化區域的光刻膠去除區和對應襯底基板上的其他區域的光刻膠保留區；減薄第一光刻膠層上的光刻膠保留區中的光刻膠；在襯底基板上形成具有壓印圖案的壓印膠層，壓印膠層覆蓋光刻膠去除區和與光刻膠去除區鄰接的部分光刻膠保留區；以壓印圖案為掩膜，對光刻膠去除區的第一膜層進行刻蝕，形成第一納米圖案；重復執行上述步驟，形成拼接的第一納米圖案。本發明通過減薄第一光刻膠層上的光刻膠，降低了待圖案化區域邊界處的段差。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種納米圖案的拼接方法、納米壓印板、光柵及制作方法。

背景技術

最近幾年中，納米壓印技術作為一種微納加工技術發展迅猛，該技術通過機械轉移的手段，達到了超高的分辨率，有望在未來取代光刻技術而成為微電子、材料領域的重要加工手段。

目前，在制作大尺寸壓印母板時，可通過光刻工藝進行待圖案化區域的界定，以實現大尺寸納米圖案的拼接制作，在納米圖案制作過程中需要一種水溶性材料，首先在該材料上形成納米圖案，然后在該材料上進行壓印膠涂覆形成具有與所述納米圖案互補的圖案的壓印膠層，最后將壓印膠層105轉移到通過光刻工藝完成壓印區域界定的基板上，達到拼接目的。但是，采用光刻工藝進行區域界定時，在邊界區域段差比較大，導致后續壓印過程中在邊界處容易出現壓印膠層105掉膠和變形的問題，如圖1所示，從而引起圖案化不良。

發明內容

有鑒于此，本發明提供一種納米圖案的拼接方法、納米壓印板、光柵及制作方法，以解決現有通過拼接方法形成大尺寸納米圖案時，因用作區域界定的光刻膠層較厚導致邊界處段差較大，進而導致后續壓印過程中邊界處的壓印膠掉膠和變形等問題。

為解決上述技術問題，本發明提供一種納米圖案的拼接方法，包括：

區域界定步驟：在形成有第一膜層的襯底基板上形成第一光刻膠層，采用光刻工藝，對所述第一光刻膠層進行構圖，形成對應所述襯底基板上的待圖案化區域的光刻膠去除區和對應所述襯底基板上的其他區域的光刻膠保留區；

光刻膠減薄步驟：減薄所述第一光刻膠層上的光刻膠保留區中的光刻膠；

壓印膠層形成步驟：在所述襯底基板上形成具有壓印圖案的壓印膠層，所述壓印膠層覆蓋所述光刻膠去除區和與所述光刻膠去除區鄰接的部分所述光刻膠保留區；

刻蝕步驟：以所述壓印圖案為掩膜，對所述光刻膠去除區的所述第一膜層進行刻蝕，形成第一納米圖案；

拼接步驟：重復執行所述區域界定步驟、所述光刻膠減薄步驟、壓印膠層形成步驟和刻蝕步驟，形成拼接的第一納米圖案。

可選的，所述刻蝕步驟包括：

以所述壓印圖案為掩膜，對所述光刻膠去除區的所述第一膜層進行刻蝕，形成第一納米圖案之前，在所述襯底基板上形成第二光刻膠層；

采用光刻工藝，對所述第二光刻膠層進行構圖，形成對應所述襯底基板上的待圖案化區域的所述光刻膠去除區和對應所述襯底基板上的其他區域的所述光刻膠保留區。

可選的，所述壓印膠層形成步驟包括：

在具有與所述壓印圖案互補的圖案的軟模板上涂覆壓印膠，形成所述壓印膠層；

將上面形成有所述壓印膠層的所述軟模板轉移至所述襯底基板上，所述壓印膠層緊貼所述第一膜層；

去除所述軟模板。

可選的，所述壓印膠層上，所述壓印圖案所占區域的尺寸大于所述待圖案化區域的尺寸。

可選的，所述軟模板為水溶性的聚乙烯醇軟模板。