[發(fā)明專利]納米圖案的拼接方法、納米壓印板、光柵及制作方法

在審

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• 申請日: 2019-01-14
• 公開（公告）號: CN109541885A
• 公開（公告）日: 2019-03-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 賀芳;尹東升;顧仁權(quán);何偉;徐勝;吳慧利;李士佩;黎午升;姚琪
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00;G02B5/18
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;賈玉

1.一種納米圖案的拼接方法，其特征在于，包括：

區(qū)域界定步驟：在形成有第一膜層的襯底基板上形成第一光刻膠層，采用光刻工藝，對所述第一光刻膠層進(jìn)行構(gòu)圖，形成對應(yīng)所述襯底基板上的待圖案化區(qū)域的光刻膠去除區(qū)和對應(yīng)所述襯底基板上的其他區(qū)域的光刻膠保留區(qū)；

光刻膠減薄步驟：減薄所述第一光刻膠層上的光刻膠保留區(qū)中的光刻膠；

壓印膠層形成步驟：在所述襯底基板上形成具有壓印圖案的壓印膠層，所述壓印膠層覆蓋所述光刻膠去除區(qū)和與所述光刻膠去除區(qū)鄰接的部分所述光刻膠保留區(qū)；

刻蝕步驟：以所述壓印圖案為掩膜，對所述光刻膠去除區(qū)的所述第一膜層進(jìn)行刻蝕，形成第一納米圖案；

拼接步驟：重復(fù)執(zhí)行所述區(qū)域界定步驟、所述光刻膠減薄步驟、壓印膠層形成步驟和刻蝕步驟，形成拼接的第一納米圖案。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米圖案的拼接方法，其特征在于，所述刻蝕步驟包括：

以所述壓印圖案為掩膜，對所述光刻膠去除區(qū)的所述第一膜層進(jìn)行刻蝕，形成第一納米圖案之前，在所述襯底基板上形成第二光刻膠層；

采用光刻工藝，對所述第二光刻膠層進(jìn)行構(gòu)圖，形成對應(yīng)所述襯底基板上的待圖案化區(qū)域的所述光刻膠去除區(qū)和對應(yīng)所述襯底基板上的其他區(qū)域的所述光刻膠保留區(qū)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的納米圖案的拼接方法，其特征在于，所述壓印膠層形成步驟包括：

在具有與所述壓印圖案互補的圖案的軟模板上涂覆壓印膠，形成所述壓印膠層；

將上面形成有所述壓印膠層的所述軟模板轉(zhuǎn)移至所述襯底基板上，所述壓印膠層緊貼所述第一膜層；

去除所述軟模板。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米圖案的拼接方法，其特征在于，所述壓印膠層上，所述壓印圖案所占區(qū)域的尺寸大于所述待圖案化區(qū)域的尺寸。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的納米圖案的拼接方法，其特征在于，所述軟模板為水溶性的聚乙烯醇軟模板。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米圖案的拼接方法，其特征在于，所述刻蝕步驟之后，還包括：

去除所述光刻膠保留區(qū)上殘留的光刻膠。

7.一種納米壓印板的制作方法，其特征在于，包括采用如權(quán)利要求1-6中任一項所述的納米圖案的拼接方法形成拼接的第一納米圖案的步驟。

8.一種光柵的制作方法，其特征在于，包括采用如權(quán)利要求1-6中任一項所述的納米圖案的拼接方法形成拼接的第一納米圖案的步驟。

9.一種納米壓印板，其特征在于，采用權(quán)利要求7所述的納米壓印板的制作方法制作而成。

10.一種光柵，其特征在于，采用權(quán)利要求8所述的光柵的制作方法制作而成。