[發(fā)明專利]一種X射線探測器及具有其的顯示設備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910031219.0 | 申請日: | 2019-01-11 |
| 公開(公告)號: | CN109768062B | 公開(公告)日: | 2021-02-02 |
| 發(fā)明(設計)人: | 卓恩宗 | 申請(專利權(quán))人: | 惠科股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H01L31/028;G01N23/04 |
| 代理公司: | 深圳市世紀恒程知識產(chǎn)權(quán)代理事務所 44287 | 代理人: | 胡海國 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶安區(qū)石巖街道水田村民*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 射線 探測器 具有 顯示 設備 | ||
本發(fā)明提供了一種X射線探測器及具有該X射線探測器的顯示設備,其中X射線探測器包括:閃爍體,位于X射線探測器的入光側(cè)并將X射線轉(zhuǎn)換成可見光;薄膜晶體管;感光層,設于閃爍體與薄膜晶體管之間,感光層包括一透明導電薄膜及一介孔硅層,介孔硅層與薄膜晶體管的漏極電連接,透明導電薄膜設置于介孔硅層的入光側(cè);其中介孔硅層為均勻的多孔結(jié)構(gòu),且孔內(nèi)填充有硅顆粒;遮光件,位于閃爍體與薄膜晶體管之間且與薄膜晶體管的有源層的位置對應,以遮擋有源層的入射光。本發(fā)明利用介孔硅作為光電轉(zhuǎn)換層的X射線探測器對X射線的轉(zhuǎn)換更加靈敏,且光電轉(zhuǎn)換效率更高。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及探測器領(lǐng)域,特別涉及一種X射線探測器及具有其的顯示設備。
背景技術(shù)
X射線探測器是將X射線轉(zhuǎn)換成可見光使X射線醫(yī)療設備實現(xiàn)CT成像的核心部件;在現(xiàn)有技術(shù)中,X射線探測器的光電轉(zhuǎn)換功能由非晶硅(a-硅)完成,由于非晶硅的結(jié)構(gòu)不夠穩(wěn)定、光轉(zhuǎn)換效率低,導致其吸收的光波范圍較寬,對光的轉(zhuǎn)換不夠靈敏,直接影響了X射線探測器的光電轉(zhuǎn)換效率。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的是提供一種X射線探測器,旨在解決由非晶硅完成光電轉(zhuǎn)換的X射線探測器光電轉(zhuǎn)換效率低的問題。
為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提出一種X射線探測器,包括:閃爍體,位于所述X射線探測器的入光側(cè)并將X射線轉(zhuǎn)換成可見光;薄膜晶體管;感光層,設于所述閃爍體與所述薄膜晶體管之間,所述感光層包括一透明導電薄膜及一介孔硅層,所述介孔硅層與所述薄膜晶體管的漏極電連接,所述透明導電薄膜設置于所述介孔硅層的入光側(cè);其中介孔硅層為均勻的多孔結(jié)構(gòu),且孔內(nèi)填充有硅顆粒;遮光件,位于所述閃爍體與薄膜晶體管之間且與所述薄膜晶體管的有源層的位置對應,以遮擋所述有源層的入射光。
可選的,所述硅顆粒為納米硅。
可選的,所述感光層還包括P摻雜層與N摻雜層;所述P摻雜層位于所述介孔硅層的入光側(cè)且處于所述透明導電薄膜與所述介孔硅層之間;所述N摻雜層位于所述介孔硅層的出光側(cè)且處于所述介孔硅層與所述薄膜晶體管之間。
可選的,所述感光層還包括包繞所述P摻雜層與N摻雜層的絕緣介質(zhì),以使所述P摻雜層與N摻雜層絕緣。
可選的,所述感光層位于所述閃爍體與所述遮光件之間。
可選的,所述感光層及遮光件并排設置于閃爍體與所述薄膜晶體管之間。
可選的,所述介孔硅層穿透所述薄膜晶體管的絕緣保護層與所述薄膜晶體管的漏極電連接;或,所述介孔硅層不穿透所述薄膜晶體管的絕緣保護層,通過導線與所述薄膜晶體管的漏極電連接。
可選的,所述X射線探測器還包括:保護層,所述保護層填充于所述薄膜晶體管與所述閃爍體之間的空隙,以將所述遮光件、感光層及薄膜晶體管與外界環(huán)境隔離。
本發(fā)明還提出一種顯示設備,其包括上述任一項所述的X射線探測器,所述顯示設備還包括成像裝置,所述成像裝置與所述薄膜晶體管電連接。
本發(fā)明技術(shù)方案通過將X射線探測器感光層的非晶硅層替換為具有均勻多孔結(jié)構(gòu)且填充有硅顆粒的介孔硅層,由介孔硅層將來自閃爍體的可見光進行光電轉(zhuǎn)換,并通過與介孔硅電連接的薄膜晶體管將電信號輸出,使X射線探測器實現(xiàn)將X射線轉(zhuǎn)換為電信號,介孔硅對光波的吸收比非晶硅更加穩(wěn)定,使得利用介孔硅作為光電轉(zhuǎn)換層的X射線探測器對X射線的轉(zhuǎn)換更加靈敏,且光電轉(zhuǎn)換效率更高。
附圖說明
為了更清楚地說明本發(fā)明實施例的技術(shù)方案,下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖示出的結(jié)構(gòu)獲得其他的附圖。
圖1為本發(fā)明X射線探測器的一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





