[發明專利]一種X射線探測器及具有其的顯示設備

有效

• 申請號: 201910031219.0
• 申請日: 2019-01-11
• 公開（公告）號: CN109768062B
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發明（設計）人: 卓恩宗
• 申請（專利權）人: 惠科股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L31/028;G01N23/04
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287
• 代理人: 胡海國

1.一種X射線探測器，其特征在于，包括：

閃爍體，位于所述X射線探測器的入光側并將X射線轉換成可見光；

薄膜晶體管；

感光層，設于所述閃爍體與所述薄膜晶體管之間，所述感光層包括一透明導電薄膜及一介孔硅層，所述介孔硅層與所述薄膜晶體管的漏極電連接，所述透明導電薄膜設置于所述介孔硅層的入光側；其中介孔硅層為均勻的多孔結構，且孔內填充有硅顆粒；

遮光件，位于所述閃爍體與薄膜晶體管之間且與所述薄膜晶體管的有源層的位置對應，以遮擋所述有源層的入射光；

其中，所述介孔硅層穿透所述薄膜晶體管的絕緣保護層與所述薄膜晶體管的漏極電連接；或，所述介孔硅層不穿透所述薄膜晶體管的絕緣保護層，通過導線與所述薄膜晶體管的漏極電連接。

2.根據權利要求1所述的X射線探測器，其特征在于，所述硅顆粒為納米硅。

3.根據權利要求1所述的X射線探測器，其特征在于，所述感光層還包括P摻雜層與N摻雜層；所述P摻雜層位于所述介孔硅層的入光側且處于所述透明導電薄膜與所述介孔硅層之間；所述N摻雜層位于所述介孔硅層的出光側且處于所述介孔硅層與所述薄膜晶體管之間。

4.根據權利要求3所述的X射線探測器，其特征在于，所述感光層還包括包繞所述P摻雜層與N摻雜層的絕緣介質，以使所述P摻雜層與N摻雜層絕緣。

5.根據權利要求1所述的X射線探測器，其特征在于，所述感光層位于所述閃爍體與所述遮光件之間。

6.根據權利要求1所述的X射線探測器，其特征在于，所述感光層及遮光件并排設置于閃爍體與所述薄膜晶體管之間。

7.根據權利要求1所述的X射線探測器，其特征在于，所述X射線探測器還包括：保護層，所述保護層填充于所述薄膜晶體管與所述閃爍體之間的空隙，以將所述遮光件、感光層及薄膜晶體管與外界環境隔離。

8.一種X射線探測器，其特征在于，所述X射線探測器包括：閃爍體，位于所述X射線探測器的入光側并將X射線轉換成可見光；

薄膜晶體管；

感光層，設于所述閃爍體與所述薄膜晶體管之間，所述感光層包括一透明導電薄膜及一介孔硅層，所述介孔硅層與所述薄膜晶體管的漏極電連接，所述透明導電薄膜設置于所述介孔硅層的入光側；其中介孔硅層為均勻的多孔結構，且孔內填充有硅顆粒，所述硅顆粒為納米硅；

遮光件，位于所述閃爍體與薄膜晶體管之間且與所述薄膜晶體管的有源層的位置對應，以遮擋所述有源層的入射光；

保護層，所述保護層填充于所述薄膜晶體管與所述閃爍體之間的空隙，以將所述遮光件、感光層及薄膜晶體管與外界環境隔離。

9.一種顯示設備，其特征在于，包括如權利要求1-7任一項所述的X射線探測器，所述顯示設備還包括成像裝置，所述成像裝置與所述薄膜晶體管電連接。