[發明專利]一種CdTe薄膜太陽能電池組件及其制備方法在審
| 申請號: | 201910023625.2 | 申請日: | 2019-01-10 |
| 公開(公告)號: | CN109801987A | 公開(公告)日: | 2019-05-24 |
| 發明(設計)人: | 彭壽;馬立云;潘錦功;傅干華;趙雷 | 申請(專利權)人: | 成都中建材光電材料有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司: | 成都市集智匯華知識產權代理事務所(普通合伙) 51237 | 代理人: | 李華;溫黎娟 |
| 地址: | 610000 四川省成*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池組件 制備 導電碳漿層 背接觸層 光吸收層 碲化鎘薄膜太陽電池 長期穩定性 背電極層 接觸勢壘 開路電壓 歐姆接觸 填充因子 轉換效率 背接觸 窗口層 襯底 電池 | ||
本發明公開一種CdTe薄膜太陽能電池組件及其制備方法,由下往上依次包括:襯底、窗口層、光吸收層、背接觸層和背電極層;所述光吸收層為CdTe層;所述背接觸層包括:Cu2Te層和摻銅的導電碳漿層,所述摻銅的導電碳漿層材料為Cu NPs:CNTs;所述組件采用的背接觸結構能降低與CdTe的接觸勢壘,形成歐姆接觸,從而提高碲化鎘薄膜太陽電池的性能,使CdTe薄膜太陽能電池組件的開路電壓和填充因子高,提高電池的性能,轉換效率高,長期穩定性佳,同時,其制備方法操作簡單,工藝簡單,容易控制。
技術領域
本發明涉及光伏技術領域,具體涉及一種CdTe薄膜太陽能電池組件及其制備方法。
背景技術
隨著新能源的發展,目前全球光伏新能源發展迅猛,總的裝機容量已經突破了百吉瓦級別,而在全球光伏的新能源中,晶硅材料發展更為成熟,占據著97%的光伏市場,而剩下的3%為薄膜光伏太陽能,而在薄膜的光伏中98%的系統來源于CdTe薄膜太陽能,其他的薄膜材料占比很小。CdTe薄膜太陽電池因其轉化效率高、成本低廉,可大規模工業化生產的特點,被譽為最有前途的太陽電池之一。
CdTe薄膜電池主要由襯底、窗口層、CdTe吸收層以及金屬背電極層四部分組成。P型CdTe層功函數為5.7eV,高于大多數金屬材料的功函數要高,將金屬材料直接制備在CdTe層表面作為背電極,則CdTe與金屬的界面會形成肖特基勢壘,阻礙光生載流子的傳輸,降低電池性能。
發明內容
有鑒于此,本申請提供了一種CdTe薄膜太陽能電池組件及其制備方法,所述組件采用的背接觸結構能降低與CdTe的接觸勢壘,形成歐姆接觸,從而提高碲化鎘薄膜太陽電池的性能,使CdTe薄膜太陽能電池組件的開路電壓和填充因子高,提高電池的性能,轉換效率高,長期穩定性佳,同時,其制備方法操作簡單,工藝簡單,容易控制。
為解決以上技術問題,本發明提供的技術方案是一種CdTe薄膜太陽能電池組件,由下往上依次包括:襯底、窗口層、光吸收層、背接觸層和背電極層;所述光吸收層為CdTe層;所述背接觸層包括:Cu2Te層和摻銅的導電碳漿層,所述摻銅的導電碳漿層材料為CuNPs:CNTs。
優選的,所述背接觸層由下往上依次包括:Cu2Te層和摻銅的導電碳漿層。
優選的,所述摻銅的導電碳漿層中銅占比為2wt%~50wt%。
優選的,所述背接觸層的厚度為5~70nm。
優選的,所述背接觸層的厚度為25~45nm,其中,所述Cu2Te層的厚度為10~20nm,所述摻銅的碳漿層厚度為15~25nm。
優選的,所述襯底層材料為玻璃。
優選的,所述玻璃為FTO。
優選的,所述窗口層為CdS層。
優選的,所述光吸收層的厚度為2.5~3.5μm。
優選的,所述背電極層的厚度為250~300nm。
優選的,所述背電極層材料為純鎳金屬材料或含鎳金屬材料。
本發明還提供了一種CdTe薄膜太陽能電池組件的制備方法,包括:襯底上由下往上依次沉積窗口層、光吸收層、背接觸層和背電極層;所述光吸收層為CdTe層;所述背接觸層包括:Cu2Te層和摻銅的導電碳漿層,所述摻銅的導電碳漿層材料為CuNPs:CNTs。
優選的,所述制備方法還包括:對所述背接觸層進行退火處理。
優選的,所述退火處理條件為:退火溫度180℃~215℃,退火時間20~70min。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





