[發(fā)明專利]一種CdTe薄膜太陽能電池組件及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910023625.2
• 申請日: 2019-01-10
• 公開（公告）號: CN109801987A
• 公開（公告）日: 2019-05-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 彭壽;馬立云;潘錦功;傅干華;趙雷
• 申請（專利權(quán)）人: 成都中建材光電材料有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 成都市集智匯華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 51237
• 代理人: 李華;溫黎娟

1.一種CdTe薄膜太陽能電池組件，其特征在于，由下往上依次包括：襯底、窗口層、光吸收層、背接觸層和背電極層；所述光吸收層為CdTe層；所述背接觸層包括：Cu₂Te層和摻銅的導(dǎo)電碳漿層，所述摻銅的導(dǎo)電碳漿層材料為CuNPs：CNTs。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CdTe太陽能電池組件，其特征在于，所述背接觸層由下往上依次包括：Cu2Te層和摻銅的導(dǎo)電碳漿層。

3.根據(jù)權(quán)利要求3所述的碲化鎘太陽能電池組件，其特征在于，所述背接觸層的厚度為5～70nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的CdTe太陽能電池組件，其特征在于，所述背接觸層的厚度為25～45nm，其中，所述Cu₂Te層的厚度為10～20nm，所述摻銅的碳漿層厚度為15～25nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CdTe太陽能電池組件，其特征在于，所述背電極層材料為純鎳金屬材料或含鎳金屬材料。

6.一種CdTe薄膜太陽能電池組件的制備方法，其特征在于，包括：襯底上由下往上依次沉積窗口層、光吸收層、背接觸層和背電極層；所述光吸收層為CdTe層；所述背接觸層包括：Cu₂Te層和摻銅的導(dǎo)電碳漿層，所述摻銅的導(dǎo)電碳漿層材料為CuNPs：CNTs。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括：對所述背接觸層進(jìn)行退火處理。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，采用近空間升華法沉積所述Cu2Te層。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，采用輥涂方法沉積所述摻銅的導(dǎo)電碳漿層。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，以CuNPs：CNTs溶液為涂料采用輥涂方法沉積所述摻銅的導(dǎo)電碳漿層。