[發明專利]封裝體及其形成方法

有效

• 申請號: 201910023496.7
• 申請日: 2019-01-10
• 公開（公告）號: CN110265310B
• 公開（公告）日: 2022-11-15
• 發明（設計）人: 陳威宇;謝靜華;余振華;劉重希;林修任;裴浩然;黃貴偉;蔡鈺芃;鄭佳申;鐘宇軒
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/488
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司 32243
• 代理人: 顧伯興

本公開提供一種方法，包含在第一封裝組件的頂部表面的第一部分上執行第一激光照射。第一封裝組件在第二封裝組件上方，且通過第一激光照射來回焊第一封裝組件與第二封裝組件之間的第一焊料區。在第一激光照射后，在第一封裝組件的頂部表面的第二部分上執行第二激光照射。通過第二激光照射來回焊第一封裝組件與第二封裝組件之間的第二焊料區。

技術領域

本發明實施例涉及一種封裝體及其形成方法。

背景技術

在集成電路的封裝中，將裝置管芯或封裝體封裝到封裝襯底上，所述封裝襯底包含用于路由(route)封裝襯底的相對側之間的電信號的金屬連接。可使用倒裝芯片接合將裝置管芯接合到封裝襯底的一側上，且執行回焊以熔融將管芯和封裝襯底互連的焊料球。

封裝襯底可使用可易于層壓的材料。另外，有機材料可用作封裝襯底的介電材料。然而，這些材料易于因用于回焊焊料的高溫造成彎曲。此外，在接合工藝期間，由于裝置管芯和封裝襯底具有顯著不同的熱膨脹系數(Coefficients of Thermal Expansion；CTE)，因此管芯和封裝襯底中的彎曲加劇。舉例而言，裝置管芯中的硅具有接近約3.2的CTE，而封裝襯底可具有介于約10與17之間，或甚至更高的CTE。封裝襯底中的彎曲可導致冷結合(cold joints)和/或凸塊開裂。因此，不利地影響封裝工藝的良率。

發明內容

根據本發明的實施例，一種形成封裝體的方法包括：在第一封裝組件的頂部表面的第一部分上執行第一激光照射，其中所述第一封裝組件在第二封裝組件上方，且通過所述第一激光照射來回焊所述第一封裝組件與所述第二封裝組件之間的第一焊料區；以及在所述第一激光照射后，在所述第一封裝組件的所述頂部表面的第二部分上執行第二激光照射，其中通過所述第二激光照射來回焊所述第一封裝組件與所述第二封裝組件之間的第二焊料區

根據本發明的實施例，一種形成封裝體的方法包括：在第一封裝組件的頂部表面上執行第一激光照射，其中所述第一封裝組件在第二封裝組件上方，且通過所述第一激光照射來熔融所述第一封裝組件與所述第二封裝組件之間的第一焊料區；延遲一段時間，其中在所述一段時間期間，所述第一焊料區固化；以及在所述第一焊料區固化后，在所述第一封裝組件的所述頂部表面上執行第二激光照射以熔融所述第一封裝組件與所述第二封裝組件之間的第二焊料區。

根據本發明的實施例，一種封裝體，包括第一封裝組件、第二封裝組件、第一焊料區、第一金屬間化合物、第二焊料區以及第二金屬間化合物。第一封裝組件包括所述第一封裝組件的表面處的第一金屬化特征以及第二金屬化特征。第二封裝組件包括所述第二封裝組件的表面處的第三金屬化特征以及第四金屬化特征。第一焊料區將所述第一金屬化特征連接到所述第三金屬化特征。第一金屬間化合物在所述第一金屬化特征與所述第一焊料區之間且鄰接所述第一金屬化特征與所述第一焊料區，其中所述第一金屬間化合物具有第一厚度。第二焊料區將所述第二金屬化特征連接到所述第四金屬化特征。第二金屬間化合物在所述第二金屬化特征與所述第二焊料區之間且鄰接所述第二金屬化特征與所述第二焊料區，其中所述第二金屬間化合物具有大于所述第一厚度的第二厚度。

附圖說明

結合附圖閱讀以下具體實施方式會最好地理解本公開的方面。應注意，根據業界中的標準慣例，各個構件未按比例繪制。實際上，為了論述清楚起見，可以任意增大或減小各種構件的尺寸。

圖1到圖4A示出根據一些實施例的通過多重照射激光回焊工藝的接合工藝中的中間階段的截面圖。

圖4B示出根據一些實施例的通過多重照射激光回焊工藝的接合工藝中的俯視圖。

圖5示出根據一些實施例的兩次照射激光回焊工藝的俯視圖。

圖6示出根據一些實施例的在接合封裝陣列上執行的多重照射激光回焊工藝的俯視圖。

圖7示出根據一些實施例的放置于多重照射激光回焊工藝中的傳送帶上的多個封裝體。