[發(fā)明專利]封裝體及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910023496.7
• 申請日: 2019-01-10
• 公開（公告）號: CN110265310B
• 公開（公告）日: 2022-11-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳威宇;謝靜華;余振華;劉重希;林修任;裴浩然;黃貴偉;蔡鈺芃;鄭佳申;鐘宇軒
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/488
• 代理公司: 南京正聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32243
• 代理人: 顧伯興

1.一種形成封裝體的方法，包括：

在第一封裝組件的頂部表面的第一部分上執(zhí)行第一激光照射，其中所述第一封裝組件在第二封裝組件上方，且通過所述第一激光照射來回焊所述第一封裝組件與所述第二封裝組件之間的第一焊料區(qū)；以及

在所述第一激光照射后，在所述第一封裝組件的所述頂部表面的第二部分上執(zhí)行第二激光照射，其中通過所述第二激光照射來回焊所述第一封裝組件與所述第二封裝組件之間的第二焊料區(qū)，且所述第一部分與所述第二部分的交疊區(qū)的面積小于所述第一部分的面積且小于所述第二部分的面積。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

所述頂部表面的所述第一部分交疊第一多個焊料區(qū)，且通過所述第一激光照射來回焊所述第一多個焊料區(qū)；以及

所述頂部表面的所述第二部分交疊第二多個焊料區(qū)，且通過所述第二激光照射來回焊所述第二多個焊料區(qū)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述第一多個焊料區(qū)以及所述第二多個焊料區(qū)包括共同焊料區(qū)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述第一多個焊料區(qū)與所述第二多個焊料區(qū)分離。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中當(dāng)開始所述第二激光照射時，所述第一焊料區(qū)固化。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進一步包括：

在所述第二激光照射后，在所述第一封裝組件的所述頂部表面的第三部分上執(zhí)行第三激光照射，其中通過所述第三激光照射來回焊所述第一封裝組件與所述第二封裝組件之間的第三焊料區(qū)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一激光照射和所述第二激光照射的組合覆蓋所述第一封裝組件的超過一半的頂部表面。