[發明專利]動態冷卻劑混合歧管在審
| 申請號: | 201910022167.0 | 申請日: | 2019-01-10 |
| 公開(公告)號: | CN110021541A | 公開(公告)日: | 2019-07-16 |
| 發明(設計)人: | 亞歷山大·查爾斯·馬卡奇 | 申請(專利權)人: | 朗姆研究公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海勝康律師事務所 31263 | 代理人: | 李獻忠;張華 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 流體 襯底支撐組件 三通比例閥 冷卻劑混合 預定流速 歧管 控制器控制 分配流體 固定流速 流體返回 流體供應 襯底 返回 | ||
本發明涉及動態冷卻劑混合歧管。一種用于控制布置在襯底支撐組件上的襯底的溫度的系統包括分別以固定流速供應在第一溫度和第二溫度下的流體的第一源和第二源。第一三通比例閥和第二三通比例閥接收來自第一源和第二源的流體,混合所接收的流體的第一部分以將具有預定溫度的流體以預定流速供應到襯底支撐組件,并使所接收的流體的第二部分返回到第一源和第二源。第三三通比例閥從襯底支撐組件接收預定流速的流體,并將接收的流體返回到第一源和第二源。控制器控制第一和第二閥以將流體供應到襯底支撐組件,并控制第三閥以在第一源和第二源之間分配流體。
技術領域
本公開總體上涉及半導體制造設備,更具體地涉及控制處理室中的襯底的溫度。
背景技術
這里提供的背景描述是為了總體呈現本公開的背景的目的。在此背景技術部分以及在提交申請時不能以其他方式確定為現有技術的描述的各方面中描述的范圍內的當前指定的發明人的工作既不明確也不暗示地承認是針對本公開的現有技術。
處理室中的襯底(例如,半導體晶片)的溫度可以以多種方式控制。例如,一個或多個加熱器可以布置在襯底支撐組件中,并且可以控制提供給加熱器的功率以控制襯底的溫度。舉另一示例而言,一種或多種流體可以使用閥循環通過布置在襯底支撐組件中的一個或多個流動通道,并且流體的溫度可以用于控制襯底的溫度。
發明內容
一種用于控制布置在襯底支撐組件上的襯底的溫度的系統包括:第一源和第二源,其分別供應在第一溫度和第二溫度下的流體。所述系統還包括:第一三通比例閥,其具有連接到所述第一源的輸入端口、連接到供應管線以將所述流體從所述第一源供應到所述襯底支撐組件的第一輸出端口、以及連接到所述第一源的第二輸出端口。所述系統還包括:第二三通比例閥,其具有連接到所述第二源的輸入端口、連接到所述供應管線以將所述流體從所述第二源供應到所述襯底支撐組件的第一輸出端口、以及連接到所述第二源的第二輸出端口。所述系統還包括:第三三通比例閥,其具有連接到返回管線以從所述襯底支撐組件接收所述流體的輸入端口,分別連接到所述第一源和所述第二源以將從所述襯底支撐組件接收的所述流體返回到所述第一源和所述第二源的第一輸出端口和第二輸出端口。所述系統還包括控制器,該控制器用于控制所述第一三通比例閥和第二三通比例閥以:將經由相應的所述輸入端口從所述第一源和所述第二源接收的流體的第一部分輸出,以經由所述供應管線以預定溫度和預定流速將所述流體供應到所述襯底支撐組件,以及使通過相應的所述輸入端口從所述第一源和所述第二源接收的所述流體的第二部分分別經由所述第一三通比例閥和第二三通比例閥的所述第二輸出端口返回到所述第一源和所述第二源;以及用于控制所述第三三通比例閥,以將經由所述返回管線從所述襯底支撐組件接收的所述流體在所述第一源和所述第二源之間分配。
在其他特征中,所述控制器基于經由所述供應管線以所述預定溫度和所述預定流速供應到所述襯底支撐組件的所述流體來控制所述襯底的溫度。
在其他特征中,所述第一源和所述第二源以固定流速將所述流體供應到所述第一三通比例閥和第二三通比例閥。
在其他特征中,所述系統還包括:與所述供應管線相關聯的溫度傳感器;和與所述返回管線相關聯的流量計。所述控制器基于從所述溫度傳感器和所述流量計接收的數據控制所述第一三通比例閥和第二三通比例閥。
在其他特征中,所述控制器基于所述第一源和所述第二源中的每一個中的所述流體的重量的指示來控制所述第三三通比例閥。
在其他特征中,所述第三三通比例閥將從所述襯底支撐組件接收的所述流體在所述第一源和所述第二源之間分配,以將所述第一源和所述第二源的流體水平保持在第一閾值和第二閾值之間。
在其他特征中,所述系統還包括將所述第一三通比例閥、所述第二三通比例閥和所述第三三通比例閥,以及將所述第一源和所述第二源連接到所述第一三通比例閥、所述第二三通比例閥和所述第三三通比例閥的流體管線包圍的外殼。所述外殼包括入口和出口,并且其中氮氣經由所述入口和所述出口穿過所述外殼,以從所述外殼中排出潮濕空氣。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





