[發明專利]像素陣列基板和驗證掩膜板的方法有效
| 申請號: | 201910020586.0 | 申請日: | 2019-01-09 |
| 公開(公告)號: | CN109830508B | 公開(公告)日: | 2021-06-01 |
| 發明(設計)人: | 陳凡 | 申請(專利權)人: | 昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G01B11/00;C23C14/04;C23C14/24 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258 | 代理人: | 娜拉 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 陣列 驗證 掩膜板 方法 | ||
本發明實施例提供一種像素陣列基板和驗證掩膜板的方法,基板具有顯示區域和位于顯示區域外周側非顯示區域,像素陣列基板包括:定位坐標系,包括第一定位標記及第二定位標記,多個第一定位標記在非顯示區域沿第一方向間隔分布,多個第二定位標記在非顯示區域沿第二方向間隔分布,第一方向與第二方向相交;像素標記,對應子像素區域設置,每個第一定位標記沿第二方向延伸形成的第一射線和每個第二定位標記沿第一方向形成的第二射線相交于顯示區域并形成多個相交位置,在每個相交位置處設置有像素標記。在利用本發明實施例的像素陣列基板進行掩膜板質量的驗證時,能夠快速找到待驗證的子像素區域,能夠提高掩膜板的驗證效率。
技術領域
本發明涉及顯示設備技術領域,尤其涉及一種像素陣列基板和驗證掩膜板的方法。
背景技術
目前,有LCD、OLED、PDP和電子墨水等多種顯示板,其中OLED顯示板借助輕薄、低功耗、高對比度、高色度域以及可柔性顯示等優點,成為下一代顯示器的發展趨勢。
OLED顯示板包括PMOLED和AMOLED兩種類型,其中AMOLED顯示板一般采用金屬掩膜板蒸鍍工藝方式進行生產制造。在采用金屬掩膜板在背板上進行蒸鍍時,需要將金屬掩膜板上的開口和背板上的預設電極位進行準確對準,這就要求金屬掩膜板上的開口位置必須滿足使用要求,在金屬掩膜板的生產過程中,一般要對金屬掩膜板上的開口進行驗證。
現有技術中在金屬掩膜板驗證過程中,一般先使用該金屬掩膜板在試驗基板上進行蒸鍍,人工隨意選擇蒸鍍像素驗證蒸鍍結果,并對蒸鍍結果進行計算。為了保證驗證結果精準,一般需要進行4次以上的校準,需要在4塊以上的基板上先后進行蒸鍍,不僅需要消耗大量的基板,還需要大量的時間,極大的增加了金屬掩膜板的生產成本。
因此,亟需一種新的像素陣列基板和驗證掩膜板的方法。
發明內容
本發明實施例提供一種像素陣列基板和驗證掩膜板的方法,旨在提高金屬掩膜板的生產效率,降低金屬掩膜板的生產成本。
本發明實施例一方面提供了一種像素陣列基板,基板具有顯示區域和位于顯示區域外周側非顯示區域,像素陣列基板包括:定位坐標系,包括第一定位標記及第二定位標記,多個第一定位標記在非顯示區域沿第一方向間隔分布,多個第二定位標記在非顯示區域沿第二方向間隔分布,第一方向與第二方向相交;像素標記,對應子像素區域設置,每個第一定位標記沿第二方向延伸形成的第一射線和每個第二定位標記沿第一方向形成的第二射線相交于顯示區域并形成多個相交位置,在每個相交位置處設置有像素標記。
根據本發明的一個方面,像素標記對應像素定義結構設置,且像素標記位于子像素區域邊緣。
根據本發明的一個方面,像素標記形成于像素陣列基板的金屬層。
本發明實施例另一方面提供了一種驗證掩膜板的方法,包括:
提供陣列基板,陣列基板包括定位坐標系和與定位坐標系對應的像素標記,以根據定位坐標系能夠確定像素標記的位置;
蒸鍍發光層,利用掩膜板在陣列基板的子像素區域蒸鍍發光材料,以形成發光層;
確認實際子像素,利用定位坐標系初步確定像素標記,利用像素標記確定待驗證子像素區域,并確認與待驗證子像素區域所對應的實際子像素;
驗證掩膜板的質量,確認實際子像素的蒸鍍誤差,并根據蒸鍍誤差驗證掩膜板的質量。
根據本發明的一個方面,掩膜板上具有與待驗證子像素區域對應的驗證開口,在驗證掩膜板的質量之前還包括:
獲取驗證開口的制造誤差;
驗證掩膜板的質量還包括:根據制造誤差和蒸鍍誤差確認實際誤差,根據實際誤差確認掩膜板的質量。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





