[發明專利]像素陣列基板和驗證掩膜板的方法有效
| 申請號: | 201910020586.0 | 申請日: | 2019-01-09 |
| 公開(公告)號: | CN109830508B | 公開(公告)日: | 2021-06-01 |
| 發明(設計)人: | 陳凡 | 申請(專利權)人: | 昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G01B11/00;C23C14/04;C23C14/24 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258 | 代理人: | 娜拉 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 陣列 驗證 掩膜板 方法 | ||
1.一種驗證掩膜板的方法,包括:
提供一種像素陣列基板,所述基板具有顯示區域和位于所述顯示區域外周側非顯示區域,所述像素陣列基板包括定位坐標系和像素標記,所述定位坐標系包括第一定位標記及第二定位標記,多個所述第一定位標記在所述非顯示區域沿第一方向間隔分布,多個所述第二定位標記在所述非顯示區域沿第二方向間隔分布,所述第一方向與所述第二方向相交,所述像素標記對應待驗證子像素區域設置,所述待驗證子像素區域對應于掩模板的驗證開口,每個所述第一定位標記沿所述第二方向延伸形成的第一射線和每個所述第二定位標記沿所述第一方向形成的第二射線相交于所述顯示區域并形成多個相交位置,在每個所述相交位置處設置有所述像素標記;
蒸鍍發光層,利用掩膜板在所述陣列基板的待驗證子像素區域蒸鍍發光材料,以形成發光層;
確認實際子像素,利用所述定位坐標系確定所述像素標記,利用所述像素標記確定待驗證子像素區域,并確認與所述待驗證子像素區域所對應的實際子像素;
驗證掩膜板的質量,根據所述實際子像素和所述待驗證子像素區域之間的位置誤差確認所述實際子像素的蒸鍍誤差,根據兩個以上的所述實際子像素的偏移量和偏移方向驗證所述掩膜板的質量,當兩個以上的所述實際子像素的偏移方向和偏移量均一致時,確認所述掩膜板的質量符合要求。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述掩膜板上具有與所述待驗證子像素區域對應的驗證開口,在驗證掩膜板的質量之前還包括:
獲取所述驗證開口的制造誤差;
驗證掩膜板的質量還包括:根據所述制造誤差和所述蒸鍍誤差確認實際誤差,根據所述實際誤差確認所述掩膜板的質量。
3.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述驗證掩膜板的質量步驟還包括:當兩個以上的所述實際子像素的所述偏移方向不一致時,確認所述掩膜板的質量不符合要求。
4.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述驗證掩膜板的質量步驟還包括當兩個以上的所述實際子像素的所述偏移方向一致,且所述偏移量不一致時,確認所述掩膜板不符合要求。
5.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述偏移方向包括平移方向和旋轉角度,所述驗證掩膜板的質量步驟還包括:根據所述實際子像素的所述平移方向和所述偏移量驗證所述掩膜板的質量,和/或,根據所述實際子像素的所述旋轉角度和所述偏移量驗證所述掩膜板的質量。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





