[發(fā)明專利]一種薄膜晶體管器件、驅(qū)動(dòng)電路及顯示裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910020460.3
• 申請(qǐng)日: 2019-01-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111430446A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-07-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊鳳云;卓恩宗
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 惠科股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L29/41;H01L29/861
• 代理公司: 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所 44237
• 代理人: 高星

本申請(qǐng)適用于半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種薄膜晶體管器件、驅(qū)動(dòng)電路以及顯示裝置，薄膜晶體管器件包括襯底、設(shè)于襯底上的柵極層、設(shè)于柵極層上的阻擋層、設(shè)于阻擋層表面的有源層、設(shè)于有源層表面的源極勢(shì)壘層和漏極勢(shì)壘層、設(shè)于源極勢(shì)壘層表面的源極層以及設(shè)于漏極勢(shì)壘層表面的漏極層，其中，源極勢(shì)壘層包括至少兩層摻雜濃度不同的源極摻雜層，漏極勢(shì)壘層包括至少兩層摻雜濃度不同的漏極摻雜層，增加了薄膜晶體管內(nèi)部的勢(shì)壘能障，提升薄膜晶體管的穩(wěn)定性，改善顯示面板的殘影現(xiàn)象，實(shí)現(xiàn)了提升背溝道刻蝕的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)中的背溝道界面狀態(tài)，降低薄膜晶體管的漏電，消除顯示面板出現(xiàn)的殘影的目的。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜二極管器件、驅(qū)動(dòng)電路及顯示裝置。

背景技術(shù)

薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)具有遷移率高、制作工藝簡(jiǎn)單、大面積均勻性好、制造成本低等優(yōu)點(diǎn)，被認(rèn)為是驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管(Light Emitting Diode，LED)顯示最具潛力的器件。在TFT的制造技術(shù)中，背溝道刻蝕(Back Channel Etch，BCE)工藝是非晶硅TFT常見(jiàn)的工藝，只需四次光刻即可形成 TFT：第一道光刻工藝形成TFT的柵極，第二道光刻工藝形成TFT的半導(dǎo)體層，第三道光刻工藝形成TFT的源極和漏極，第四道光刻工藝形成TFT的鈍化層過(guò)孔。因BCE工藝只需要四塊掩膜版和工藝步驟較少而被現(xiàn)有非晶硅(a-Si)TFT面板生產(chǎn)線廣泛采用。

然而，現(xiàn)有的背溝道刻蝕的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)中的背溝道界面狀態(tài)較差，會(huì)導(dǎo)致薄膜晶體管的漏電較大，從而使得顯示面板產(chǎn)生殘影的現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)的目的在于提供一種薄膜二極管器件，旨在實(shí)現(xiàn)提升背溝道刻蝕的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)中的背溝道界面狀態(tài)，降低薄膜晶體管的漏電，消除顯示面板出現(xiàn)的殘影的目的。

本申請(qǐng)是這樣實(shí)現(xiàn)的，一種薄膜二極管器件，包括：

襯底；

設(shè)于所述襯底的柵極層，其中，所述襯底的表面包括第一預(yù)設(shè)區(qū)域和第二預(yù)設(shè)區(qū)域，所述柵極層設(shè)于所述襯底表面的第一預(yù)設(shè)區(qū)域；

設(shè)于所述柵極層的阻擋層，其中，所述阻擋層設(shè)于所述柵極層表面以及所述襯底表面的第二預(yù)設(shè)區(qū)域；

設(shè)于所述阻擋層表面的有源層，所述有源層表面包括第三預(yù)設(shè)區(qū)域和第四預(yù)設(shè)區(qū)域，所述第三預(yù)設(shè)區(qū)域與所述第四預(yù)設(shè)區(qū)域互不接觸；

設(shè)于所述有源層表面的源極勢(shì)壘層和漏極勢(shì)壘層，其中，所述源極勢(shì)壘層包括至少兩層摻雜濃度不同的源極摻雜層，所述漏極勢(shì)壘層包括至少兩層摻雜濃度不同的漏極摻雜層，所述源極勢(shì)壘層位于所述有源層表面的第三預(yù)設(shè)區(qū)域，所述漏極勢(shì)壘層位于所述有源層表面的第四預(yù)設(shè)區(qū)域；

設(shè)于所述源極勢(shì)壘層表面的源極層；以及

設(shè)于所述漏極勢(shì)壘層表面的漏極層。

可選的，所述源極勢(shì)壘層包括：

設(shè)于所述有源層表面的第一源極摻雜層，其中，所述第一源極摻雜層位于所述有源層表面的第三預(yù)設(shè)區(qū)域；

設(shè)于所述第一源極摻雜層表面的第二源極摻雜層；

設(shè)于所述第二源極摻雜層表面的第三源極摻雜層；以及

設(shè)于所述第三源極摻雜層表面的第四源極摻雜層；

所述第一源極摻雜層、所述第二源極摻雜層、所述第三源極摻雜層以及所述第四源極摻雜層的摻雜濃度互不相同。

可選的，所述第一源極摻雜層具有第一源極摻雜濃度，所述第二源極摻雜層具有第二源極摻雜濃度，所述第三源極摻雜層具有第三源極摻雜濃度，所述第四源極摻雜層具有第四源極摻雜濃度；