[發明專利]一種薄膜晶體管器件、驅動電路及顯示裝置

在審

• 申請號: 201910020460.3
• 申請日: 2019-01-09
• 公開（公告）號: CN111430446A
• 公開（公告）日: 2020-07-17
• 發明（設計）人: 楊鳳云;卓恩宗
• 申請（專利權）人: 惠科股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/41;H01L29/861
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 高星

1.一種薄膜晶體管器件，其特征在于，包括：

襯底；

設于所述襯底的柵極層，其中，所述襯底的表面包括第一預設區域和第二預設區域，所述柵極層設于所述襯底表面的第一預設區域；

設于所述柵極層的阻擋層，其中，所述阻擋層設于所述柵極層表面以及所述襯底表面的第二預設區域；

設于所述阻擋層表面的有源層，所述有源層表面包括第三預設區域和第四預設區域，所述第三預設區域與所述第四預設區域互不接觸；

設于所述有源層表面的源極勢壘層和漏極勢壘層，其中，所述源極勢壘層包括至少兩層摻雜濃度不同的源極摻雜層，所述漏極勢壘層包括至少兩層摻雜濃度不同的漏極摻雜層，所述源極勢壘層位于所述有源層表面的第三預設區域，所述漏極勢壘層位于所述有源層表面的第四預設區域；

設于所述源極勢壘層表面的源極層；以及

設于所述漏極勢壘層表面的漏極層。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管器件，其特征在于，所述源極勢壘層包括：

設于所述有源層表面的第一源極摻雜層，其中，所述第一源極摻雜層位于所述有源層表面的第三預設區域；

設于所述第一源極摻雜層表面的第二源極摻雜層；

設于所述第二源極摻雜層表面的第三源極摻雜層；以及

設于所述第三源極摻雜層表面的第四源極摻雜層；

所述第一源極摻雜層、所述第二源極摻雜層、所述第三源極摻雜層以及所述第四源極摻雜層的摻雜濃度互不相同。

3.如權利要求2所述的薄膜晶體管器件，其特征在于，所述第一源極摻雜層具有第一源極摻雜濃度，所述第二源極摻雜層具有第二源極摻雜濃度，所述第三源極摻雜層具有第三源極摻雜濃度，所述第四源極摻雜層具有第四源極摻雜濃度；

所述第一源極摻雜濃度小于所述第二源極摻雜濃度，所述第二源極摻雜濃度小于所述第三源極摻雜濃度，所述第三源極摻雜濃度小于所述第四源極摻雜濃度。

4.如權利要求1所述的薄膜晶體管器件，其特征在于，所述漏極勢壘層包括：

設于所述有源層表面的第一漏極摻雜層，所述第一漏極摻雜層位于所述有源層表面的第四預設區域；

設于所述第一漏極摻雜層表面的第二漏極摻雜層；

設于所述第二漏極摻雜層表面的第三漏極摻雜層；以及

設于所述第三漏極摻雜層表面的第四漏極摻雜層；

所述第一漏極摻雜層、所述第二漏極摻雜層、所述第三漏極摻雜層以及所述第四漏極摻雜層的摻雜濃度互不相同。

5.如權利要求1所述的薄膜晶體管器件，其特征在于，所述阻擋層包括氮化硅、二氧化硅中的至少一項。

6.如權利要求1所述的薄膜晶體管器件，其特征在于，所述源極摻雜層為N型摻雜。

7.如權利要求1所述的薄膜晶體管器件，其特征在于，所述有源層為非晶硅。

8.如權利要求7所述的薄膜晶體管器件，其特征在于，所述非晶硅為氫化非晶硅。

9.一種驅動電路，其特征在于，所述驅動電路包括如權利要求1-8任一項所述的薄膜晶體管器件。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括：

顯示面板；以及

控制單元，所述控制單元與所述顯示面板電性連接；其中，所述顯示面板包括如權利要求1-8任一項所述的薄膜晶體管器件。