[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910015643.6
• 申請(qǐng)日: 2019-01-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110729246A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-01-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張邦圣;尹煜峰;王朝勛;趙高毅;楊復(fù)凱;王美勻;張峰瑜;高承遠(yuǎn);洪嘉陽(yáng);張家勝;孫書(shū)輝;謝志宏;潘昇良;郭國(guó)憑;吳少均
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/8238
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/8238;H01L27/092
• 代理公司: 72003 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 黃艷

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：

形成一金屬柵極結(jié)構(gòu)，其中該金屬柵極結(jié)構(gòu)包括一柵極介電層及一柵極電極；

對(duì)該金屬柵極結(jié)構(gòu)的一頂表面進(jìn)行一表面處理，其中該表面處理將該柵極電極的一頂部轉(zhuǎn)變?yōu)橐谎趸瘜樱?/p>

在該柵極電極上方形成一導(dǎo)電層，其中該導(dǎo)電層的形成包括以一金屬元素取代該氧化層中的氧；以及

在該金屬柵極結(jié)構(gòu)上方形成一插塞部件，其中該插塞部件與該導(dǎo)電層直接接觸。