[發(fā)明專利]一種陣列基板、其制備方法及相關(guān)裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910014900.4
• 申請(qǐng)日: 2019-01-08
• 公開（公告）號(hào): CN109742113B
• 公開（公告）日: 2020-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王國(guó)英;宋振
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 郭潤(rùn)湘

本發(fā)明提供一種陣列基板、其制備方法及相關(guān)裝置，該陣列基板包括多個(gè)子像素區(qū)域，各子像素區(qū)域包括位于襯底基板上的像素驅(qū)動(dòng)電路和光學(xué)補(bǔ)償電路，像素驅(qū)動(dòng)電路包括與驅(qū)動(dòng)晶體管連接的像素存儲(chǔ)電容，光學(xué)補(bǔ)償電路包括與感光器件連接的感光存儲(chǔ)電容；像素存儲(chǔ)電容和感光存儲(chǔ)電容疊層設(shè)置，且像素存儲(chǔ)電容和感光存儲(chǔ)電容共用同一電極板。本發(fā)明通過將感光器件、感光存儲(chǔ)電容和像素存儲(chǔ)電容沿背離襯底基板的方向上依次疊層設(shè)置，即感光器件、感光存儲(chǔ)電容和像素存儲(chǔ)電容三者在襯底基板上的正投影具有重疊區(qū)域，減小了子像素區(qū)域像素存儲(chǔ)電容的占用面積，相應(yīng)地可以增加發(fā)光區(qū)的面積，從而提高子像素區(qū)域的開口率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種陣列基板、其制備方法及相關(guān)裝置。

背景技術(shù)

OLED顯示器件由于自身的特性，被廣泛應(yīng)用，目前OLED的顯示畫面亮度及均勻性補(bǔ)償主要以電學(xué)補(bǔ)償為主，包括內(nèi)部補(bǔ)償和外部補(bǔ)償兩種方式，也可以采用兩種補(bǔ)償方案相結(jié)合的方式，但是電學(xué)補(bǔ)償只能對(duì)由于驅(qū)動(dòng)TFT閾值電壓和遷移率變化造成的顯示Mura進(jìn)行補(bǔ)償，無法補(bǔ)償由于OLED器件本身發(fā)光效率變化造成的顯示不均的問題。現(xiàn)行的光學(xué)補(bǔ)償方案是在panel出廠時(shí)對(duì)panel整體進(jìn)行一次光學(xué)補(bǔ)償，但無法解決伴隨EL效率衰減造成的Mura，即無法實(shí)現(xiàn)與電學(xué)補(bǔ)償類似的實(shí)時(shí)補(bǔ)償。除此之外像素驅(qū)動(dòng)TFT的像素存儲(chǔ)電容占用版圖設(shè)計(jì)的大部分面積，使得像素開口率較低。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板、其制備方法及相關(guān)裝置，用于提高子像素區(qū)域的開口率。

因此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，包括多個(gè)子像素區(qū)域，各所述子像素區(qū)域包括位于襯底基板上的像素驅(qū)動(dòng)電路和光學(xué)補(bǔ)償電路，所述像素驅(qū)動(dòng)電路包括與驅(qū)動(dòng)晶體管連接的像素存儲(chǔ)電容，所述光學(xué)補(bǔ)償電路包括與感光器件連接的感光存儲(chǔ)電容；所述像素存儲(chǔ)電容和所述感光存儲(chǔ)電容疊層設(shè)置，且所述像素存儲(chǔ)電容和所述感光存儲(chǔ)電容共用同一電極板。

可選地，在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，所述光學(xué)補(bǔ)償電路中的感光器件位于所述感光存儲(chǔ)電容與所述襯底基板之間；所述像素存儲(chǔ)電容位于所述感光存儲(chǔ)電容背離所述襯底基板的一側(cè)；

在所述感光器件與所述襯底基板之間具有遮光金屬層，所述遮光金屬層在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述感光器件在所述襯底基板上的正投影。

可選地，在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，所述感光存儲(chǔ)電容包括位于所述感光器件之上依次疊層設(shè)置的第一電極、絕緣介質(zhì)層、第二電極；所述像素存儲(chǔ)電容包括依次疊層設(shè)置的所述第二電極、絕緣緩沖層和第三電極。

可選地，在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，所述光學(xué)補(bǔ)償電路還包括位于所述絕緣緩沖層上的光學(xué)補(bǔ)償控制晶體管；所述光學(xué)補(bǔ)償控制晶體管的源極或漏極與所述遮光金屬層電連接、且與所述第二電極電連接。

可選地，在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，所述光學(xué)補(bǔ)償控制晶體管為頂柵型晶體管；所述遮光金屬層在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述光學(xué)補(bǔ)償控制晶體管的有源層在所述襯底基板上的正投影。

可選地，在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，所述第三電極與所述光學(xué)補(bǔ)償控制晶體管的有源層同層設(shè)置。

可選地，在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，所述像素驅(qū)動(dòng)電路還包括驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵極與所述第三電極電連接。

相應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種底發(fā)射型OLED顯示面板，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板。

相應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述底發(fā)射型OLED顯示面板。

相應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板的制備方法，包括：

在襯底基板上形成遮光金屬層；