[發(fā)明專利]一種陣列基板、其制備方法及相關(guān)裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910014900.4
• 申請日: 2019-01-08
• 公開（公告）號: CN109742113B
• 公開（公告）日: 2020-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王國英;宋振
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 郭潤湘

1.一種陣列基板，其特征在于，包括多個子像素區(qū)域，各所述子像素區(qū)域包括位于襯底基板上的像素驅(qū)動電路和光學(xué)補(bǔ)償電路，所述像素驅(qū)動電路包括與驅(qū)動晶體管連接的像素存儲電容，所述光學(xué)補(bǔ)償電路包括與感光器件連接的感光存儲電容；所述像素存儲電容和所述感光存儲電容疊層設(shè)置，且所述像素存儲電容和所述感光存儲電容共用同一電極板；

所述光學(xué)補(bǔ)償電路中的感光器件位于所述感光存儲電容與所述襯底基板之間；所述像素存儲電容位于所述感光存儲電容背離所述襯底基板的一側(cè)；

在所述感光器件與所述襯底基板之間具有遮光金屬層，所述遮光金屬層在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述感光器件在所述襯底基板上的正投影；

所述感光存儲電容包括位于所述感光器件之上依次疊層設(shè)置的第一電極、絕緣介質(zhì)層、第二電極；所述像素存儲電容包括依次疊層設(shè)置的所述第二電極、絕緣緩沖層和第三電極；

所述光學(xué)補(bǔ)償電路還包括位于所述絕緣緩沖層上的光學(xué)補(bǔ)償控制晶體管；所述光學(xué)補(bǔ)償控制晶體管的源極或漏極與所述遮光金屬層電連接、且與所述第二電極電連接。

2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述光學(xué)補(bǔ)償控制晶體管為頂柵型晶體管；所述遮光金屬層在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述光學(xué)補(bǔ)償控制晶體管的有源層在所述襯底基板上的正投影。

3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第三電極與所述光學(xué)補(bǔ)償控制晶體管的有源層同層設(shè)置。

4.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述像素驅(qū)動電路還包括驅(qū)動薄膜晶體管，所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵極與所述第三電極電連接。

5.一種底發(fā)射型OLED顯示面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的陣列基板。

6.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求5所述的底發(fā)射型OLED顯示面板。

7.一種如權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上形成遮光金屬層；

在所述遮光金屬層上形成感光器件；

在所述感光器件上形成感光存儲電容；所述感光存儲電容包括依次疊層設(shè)置的第一電極、絕緣介質(zhì)層、第二電極；

在所述感光存儲電容上形成絕緣緩沖層；

在所述絕緣緩沖層上同時形成光學(xué)補(bǔ)償控制晶體管的有源層和第三電極；所述第二電極、所述絕緣緩沖層和所述第三電極構(gòu)成像素存儲電容；

依次形成所述光學(xué)補(bǔ)償控制晶體管的柵極和源漏極；所述光學(xué)補(bǔ)償控制晶體管的源極或漏極與所述遮光金屬層電連接、且與所述第二電極電連接。