[發明專利]一種在金屬電極側向包覆高反射膜提高光效的方法

在審

• 申請號: 201910010353.2
• 申請日: 2019-01-07
• 公開（公告）號: CN111416023A
• 公開（公告）日: 2020-07-14
• 發明（設計）人: 王帥;程葉;楊猛;王利明;凌華山
• 申請（專利權）人: 聚燦光電科技（宿遷）有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/46
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明涉及LED技術領域，具體涉及一種在金屬電極側向包覆高反射膜提高光效的方法，該方法的工藝流程包括MSA、CBL、TCL、PAD、NDBR、PSV，具體步驟為1）MSA：在GAN上定義出LED芯片圖形大小；2）CBL：沉積一層SiO₂電流阻擋層；3）TCL：再沉積一層導電層；4）PAD：在鍍上金屬電極用于導電作業；5）NDBR：在金屬電極側面鍍上一層高反射DBR層；6）PSV：最后鍍上一層SiO₂，作為芯片保護層，本發明打破常規思路，通過在金屬電極側面鍍上一層高反射DBR層，增加了側向光于金屬電極上的反射，進而實現光效的最大化；且本發明的制備工藝簡單，滿足了LED芯片的制作要求，可在實際的工業生產中進行推廣應用。

技術領域

本發明涉及LED技術領域，具體涉及一種在金屬電極側向包覆高反射膜提高光效的方法。

背景技術

目前第三代光源LED以其具體節能環保的優越性已逐步取代傳統光源。LED光源的發光核心在于芯片的制作以及光效的提取。目前業內LED芯片制作主要為正裝結構芯片，即利用一系列透過、反射等原理將外延GAN發出的光最大限度的從芯片正面發出來，減小芯片背面以及側壁等方面對光造成的吸收，從而實現光效最大化。

目前芯片中游芯片端未將外延出光效益達到100%，其中一部分被金屬電極遮擋，雖然金屬電極下會有一定厚度的Al層，金屬電極的厚度相對也會遮光。

發明內容

針對現有技術的不足，本發明提供了一種在金屬電極側向包覆高反射膜提高光效的方法，通過在金屬電極側面鍍上一層高反射DBR層，增加側向光于金屬電極上的反射，達到亮度最大化效益。

為實現以上目的，本發明通過以下技術方案予以實現：

一種在金屬電極側向包覆高反射膜提高光效的方法，該方法的工藝流程包括MSA、CBL、TCL、PAD、NDBR、PSV，具體步驟如下：

1）MSA：在GAN上定義出LED芯片圖形大小；

2）CBL：沉積一層SiO₂電流阻擋層；

3）TCL：再沉積一層導電層；

4）PAD：在鍍上金屬電極用于導電作業；

5）NDBR：在金屬電極側面鍍上一層高反射DBR層；

6）PSV：最后鍍上一層SiO₂，作為芯片保護層。

優選地，步驟5）中所述高反射DBR層由SiO₂與Ti3O₅交替鍍膜而成，且所述高反射DBR層的厚度為3.0-6.0um。

優選地，所述高反射DBR層的厚度為3.5um。

優選地，所述高反射DBR層中SiO₂與Ti₃O₅的厚度比為1：1。

優選地，步驟4）中所述金屬電極選用金電極、銀電極或銅電極中的任意一種。

優選地，步驟3）中所述導電層為銦錫氧化物沉積層。

有益效果：

本發明打破常規思路，通過在金屬電極側面鍍上一層高反射DBR層，增加了側向光于金屬電極上的反射，進而實現光效的最大化；且本發明的制備工藝簡單，滿足了LED芯片的制作要求，可在實際的工業生產中進行推廣應用。

附圖說明

圖1為本發明技術方案制備的LED芯片的結構示意圖；

圖2為現有技術方案制備的LED芯片的結構示意圖；