[發(fā)明專(zhuān)利]一種在金屬電極側(cè)向包覆高反射膜提高光效的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910010353.2 | 申請(qǐng)日： | 2019-01-07 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN111416023A | 公開(kāi)（公告）日： | 2020-07-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王帥;程葉;楊猛;王利明;凌華山 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 聚燦光電科技（宿遷）有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L33/00 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L33/00;H01L33/46 |
| 代理公司： | 暫無(wú)信息 | 代理人： | 暫無(wú)信息 |
| 地址： | 223800 江蘇省*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 金屬電極 側(cè)向 包覆高 反射 提高 方法 | ||
1.一種在金屬電極側(cè)向包覆高反射膜提高光效的方法，其特征在于，該方法的工藝流程包括MSA、CBL、TCL、PAD、NDBR、PSV，具體步驟如下：
1）MSA：在GAN上定義出LED芯片圖形大小；
2）CBL：沉積一層SiO2電流阻擋層；
3）TCL：再沉積一層導(dǎo)電層；
4）PAD：在鍍上金屬電極用于導(dǎo)電作業(yè)；
5）NDBR：在金屬電極側(cè)面鍍上一層高反射DBR層；
6）PSV：最后鍍上一層SiO2，作為芯片保護(hù)層。
2.如權(quán)利要求1所述的一種在金屬電極側(cè)向包覆高反射膜提高光效的方法，其特征在于：步驟5）中所述高反射DBR層由SiO2與Ti3O5交替鍍膜而成，且所述高反射DBR層的厚度為3.0-6.0um。
3.如權(quán)利要求2所述的一種在金屬電極側(cè)向包覆高反射膜提高光效的方法，其特征在于：所述高反射DBR層的厚度為3.5um。
4.如權(quán)利要求2或3所述的一種在金屬電極側(cè)向包覆高反射膜提高光效的方法，其特征在于：所述高反射DBR層中SiO2與Ti3O5的厚度比為1：1。
5.如權(quán)利要求1所述的一種在金屬電極側(cè)向包覆高反射膜提高光效的方法，其特征在于：步驟4）中所述金屬電極選用金電極、銀電極或銅電極中的任意一種。
6.如權(quán)利要求1所述的一種在金屬電極側(cè)向包覆高反射膜提高光效的方法，其特征在于：步驟3）中所述導(dǎo)電層為銦錫氧化物沉積層。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件；專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備；這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的，例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件
