[發明專利]泡沫鎳支撐的單晶二硒化三鎳納米線陣列及其制備方法在審
| 申請號： | 201910007237.5 | 申請日： | 2019-01-04 |
| 公開（公告）號： | CN109553076A | 公開（公告）日： | 2019-04-02 |
| 發明（設計）人： | 杜衛民;顧永攀;魏少紅;張道軍;曹智 | 申請（專利權）人： | 安陽師范學院 |
| 主分類號： | C01B19/00 | 分類號： | C01B19/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 鄭州聯科專利事務所(普通合伙) 41104 | 代理人： | 時立新 |
| 地址： | 455000 *** | 國省代碼： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 泡沫鎳 單晶 硒化 鎳納米線陣列 制備 支撐 納米材料制備技術 超級電容器 電化學領域 鋰離子電池 控制晶體 線狀結構 應用優勢 電解水 納米線 溶劑熱 乙二胺 鎳源 硒粉 硒源 制氫 生長 | ||
【權利要求書】：
1.一種泡沫鎳支撐的單晶二硒化三鎳納米線陣列的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
1）化學反應液的配制：將硒源和乙二胺溶劑混合，配制成反應溶液；其中硒源在溶液中的含量為0.5 g/L ～ 2.0 g/L；
2）泡沫鎳支撐的單晶二硒化三鎳納米線陣列的合成：將反應液移入帶有聚四氟乙烯內膽的反應釜中，再將預處理的泡沫鎳放入其中，在160-180℃條件下溶劑熱反應，反應結束后，反應釜自然冷卻，將泡沫鎳經洗滌，真空干燥，得單晶二硒化三鎳納米線陣列。
2.根據權利要求1所述的泡沫鎳支撐的單晶二硒化三鎳納米線陣列的制備方法，其特征在于，所述的鎳源為泡沫鎳，所述的硒源為硒粉，反應溶劑為乙二胺。
3.一種泡沫鎳支撐的單晶二硒化三鎳納米線陣列，其特征在于，采用權利要求1或2所述方法制備而成，制備的二硒化三鎳為一維的單晶線狀結構，直徑為30--50納米，長度4-6微米，單晶二硒化三鎳納米線陣列附著在泡沫鎳基底上。
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