[發(fā)明專利]多層陶瓷電容器及制造多層陶瓷電容器的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910001902.X
• 申請日: 2019-01-02
• 公開（公告）號: CN110828165B
• 公開（公告）日: 2022-11-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 崔瑛株;金珉雨;李銀貞;洪奇杓
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01G4/005
• 分類號: H01G4/005;H01G4/12;H01G4/224;H01G4/30
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 汪喆;馬金霞

1.一種多層陶瓷電容器，包括：

陶瓷主體，包括：有效部，包括介電層和隔著所述介電層彼此疊置的多個內(nèi)電極；以及覆蓋部，形成在所述有效部的上方和下方，并且所述陶瓷主體包括彼此背對的第一表面和第二表面、連接所述第一表面和所述第二表面的第三表面和第四表面以及連接到所述第一表面至所述第四表面且彼此背對的第五表面和第六表面；以及

第一側(cè)邊緣部和第二側(cè)邊緣部，設(shè)置在所述第一表面和所述第二表面上，

其中，所述多個內(nèi)電極包括主體部和引出部，所述引出部具有比所述主體部的寬度小的寬度并且具有通過所述第三表面或所述第四表面暴露的端部；

其中，所述主體部的表面通過所述陶瓷主體的所述第一表面和所述第二表面暴露，并且所述第一側(cè)邊緣部和所述第二側(cè)邊緣部設(shè)置在所述主體部的通過所述第一表面和所述第二表面暴露的表面上；并且

其中，在所述陶瓷主體的長度-厚度方向上的截面中，除了所述有效部之外的區(qū)域的面積Sd與所述截面的總面積Sc的比Sd/Sc大于27％。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，在所述陶瓷主體的長度-厚度方向的截面中，除了所述有效部之外的區(qū)域的面積Sd與所述截面的總面積Sc的比Sd/Sc等于或大于29％。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述引出部的在所述第三表面和所述第四表面上的暴露表面與所述陶瓷主體的所述第一表面和所述第二表面分開。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述第一側(cè)邊緣部或所述第二側(cè)邊緣部的接觸被設(shè)置為所述多個內(nèi)電極的堆疊方向上的最外部的內(nèi)電極的邊緣的區(qū)域的厚度與所述第一側(cè)邊緣部或所述第二側(cè)邊緣部的接觸所述多個內(nèi)電極中的設(shè)置在所述多個內(nèi)電極的堆疊方向上的中央部的內(nèi)電極的邊緣的區(qū)域的比在0.9至1.0的范圍內(nèi)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述第一側(cè)邊緣部或所述第二側(cè)邊緣部的接觸所述陶瓷主體的邊緣的區(qū)域的厚度與所述第一側(cè)邊緣部或所述第二側(cè)邊緣部的接觸多個所述內(nèi)電極中的設(shè)置在所述多個內(nèi)電極的堆疊方向上的中央部的內(nèi)電極的邊緣的區(qū)域的厚度的比在0.9至1.0的范圍內(nèi)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述介電層具有等于或小于0.4μm的厚度，并且所述內(nèi)電極具有等于或小于0.4μm的厚度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述第一側(cè)邊緣部具有在2μm至10μm的范圍內(nèi)的平均厚度，所述第二側(cè)邊緣部具有在2μm至10μm的范圍內(nèi)的平均厚度。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述陶瓷主體的長度-厚度方向上的截面位于所述多個內(nèi)電極的所述主體部的寬度方向相對的端部之間以及所述引出部的寬度方向的相對的端部之間的區(qū)域中。