[發明專利]轉印基板及其制作方法、微發光二極管轉印方法

有效

• 申請號: 201910001724.0
• 申請日: 2019-01-02
• 公開（公告）號: CN109727901B
• 公開（公告）日: 2021-08-24
• 發明（設計）人: 袁廣才;李海旭
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/677
• 分類號: H01L21/677;H01L27/15
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;劉偉

本發明提供了一種轉印基板及其制作方法、微發光二極管轉印方法，屬于顯示技術領域。其中，轉印基板，包括：襯底基板；位于所述襯底基板上的薄膜晶體管；與所述薄膜晶體管的漏電極連接的第一電極；位于所述襯底基板上的第二電極；位于所述第一電極和所述第二電極之間電場范圍內的電致伸縮結構，所述電致伸縮結構的一側表面凸出于所述轉印基板。本發明的技術方案能夠實現高效、區域內微尺寸可控的Micro LED轉印。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別是指一種轉印基板及其制作方法、微發光二極管轉印方法。

背景技術

Micro LED Display全稱為微發光二極管顯示器，它的結構是微型化LED(發光二極管)陣列，也就是將LED結構設計進行薄膜化、微小化以及陣列化后，巨量的轉移到電路基板上，再利用物理沉積技術生成保護層，形成微小間距的LED。將毫米級別的LED長度進一步微縮到微米級，以達到超高像素、超高解析率，理論上能夠適應各種尺寸屏幕的技術。其體積約為目前主流LED大小的1％。同時它還能夠實現每個像素單獨定址、單獨驅動發光(自發光)，也將像素點的距離由原來的毫米級別降到了納米級。

Micro LED具備無需背光源、能夠自發光的特性，與OLED(有機電致發光二極管)相似，但相比OLED，Micro-LED色彩更容易準確的調試，且結構簡易，幾乎無光耗，它的使用壽命非常長，具有高亮度、低功耗、超高解析度與色彩飽和度、反應速度快、超省電、長壽命、高效率、適應各種尺寸、無縫拼接等優點，Micro LED被視為下一代顯示，稱為最有可能取代OLED的下代顯示方式，其耗電量為LCD(液晶顯示器)的10％、OLED的50％，極其適用于可穿戴設備。

Micro LED技術，目前面臨相當多的技術挑戰，Micro LED制程關鍵技術中，轉移技術是目前最困難的關鍵制程之一，Micro LED制造成本居高不下，原因在于相關轉移技術瓶頸仍待突破，目前尚未有高效、區域內微尺寸可控的Micro LED轉印技術。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供一種轉印基板及其制作方法、微發光二極管轉印方法，能夠實現高效、區域內微尺寸可控的Micro LED轉印。

為解決上述技術問題，本發明的實施例提供技術方案如下：

一方面，提供一種轉印基板，包括：

襯底基板；

位于所述襯底基板上的薄膜晶體管；

與所述薄膜晶體管的漏電極連接的第一電極；

位于所述襯底基板上的第二電極；

位于所述第一電極和所述第二電極之間電場范圍內的電致伸縮結構，所述電致伸縮結構的一側表面凸出于所述轉印基板。

進一步地，所述第一電極與所述漏電極為一體結構。

進一步地，所述轉印基板還包括：

覆蓋所述薄膜晶體管、所述第一電極和所述第二電極的鈍化層，所述鈍化層具有暴露出所述第一電極的第一過孔和暴露出所述第二電極的第二過孔；

所述電致伸縮結構位于所述鈍化層上，分別通過所述第一過孔與所述第一電極連接，通過所述第二過孔與所述第二電極連接。

進一步地，所述電致伸縮結構位于所述第二電極上，且所述電致伸縮結構凸出的表面在所述襯底基板上的正投影落入所述第二電極在所述襯底基板上的正投影內。

本發明實施例還提供了一種轉印基板的制作方法，包括：

提供一襯底基板；

在所述襯底基板上形成薄膜晶體管和與所述薄膜晶體管的漏電極連接的第一電極；

在所述襯底基板上形成第二電極；