[發(fā)明專利]薄膜制備裝置、方法及系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910001693.9
• 申請日: 2019-01-02
• 公開（公告）號: CN109609922B
• 公開（公告）日: 2021-04-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 唐浩;周全國;程久陽;蘭榮華;周麗佳;王志東;魯彥成
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: C23C14/56
• 分類號: C23C14/56;C23C14/30;C23C14/34;C23C14/22
• 代理公司: 北京三高永信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138
• 代理人: 楊廣宇

1.一種薄膜制備裝置，其特征在于，所述裝置包括：設(shè)置在鍍膜腔室內(nèi)的傳遞機(jī)構(gòu)和至少兩個膜層沉積機(jī)構(gòu)；所述傳遞機(jī)構(gòu)包括至少兩個傳遞件；

每相鄰兩個所述膜層沉積機(jī)構(gòu)之間設(shè)置有至少一個傳遞件，所述至少一個傳遞件用于在相鄰兩個所述膜層沉積機(jī)構(gòu)之間傳輸薄膜基帶；

每個所述膜層沉積機(jī)構(gòu)用于在所述薄膜基帶上沉積一層膜層，且各個所述膜層沉積機(jī)構(gòu)所沉積的膜層不同；

所述至少兩個膜層沉積機(jī)構(gòu)包括：第一膜層沉積機(jī)構(gòu)、第二膜層沉積機(jī)構(gòu)和第三膜層沉積機(jī)構(gòu)；

所述第一膜層沉積機(jī)構(gòu)用于采用離子束輔助沉積方式在所述薄膜基帶上沉積第一膜層；

所述第二膜層沉積機(jī)構(gòu)用于采用電子束蒸鍍方式在所述薄膜基帶上沉積第二膜層；

所述第三膜層沉積機(jī)構(gòu)用于采用濺射方式在所述薄膜基帶上沉積第三膜層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第一膜層沉積機(jī)構(gòu)包括：第一轉(zhuǎn)輪、第二轉(zhuǎn)輪、制冷組件、第一蒸發(fā)源和離子源；

所述第一轉(zhuǎn)輪和所述第二轉(zhuǎn)輪相對設(shè)置，所述第一轉(zhuǎn)輪和所述第二轉(zhuǎn)輪用于將所述薄膜基帶傳輸至所述第一蒸發(fā)源的蒸發(fā)區(qū)域；

所述制冷組件位于所述第一轉(zhuǎn)輪和所述第二轉(zhuǎn)輪之間，且位于所述薄膜基帶的一側(cè)；

所述第一蒸發(fā)源和所述離子源均位于所述薄膜基帶的另一側(cè)，所述第一蒸發(fā)源用于將第一靶材蒸發(fā)至所述薄膜基帶，所述離子源用于向所述薄膜基帶發(fā)射離子束。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述第一膜層沉積機(jī)構(gòu)還包括：壓電傳感器，所述壓電傳感器位于所述薄膜基帶靠近所述第一蒸發(fā)源的一側(cè)，所述壓電傳感器用于檢測所述第一膜層的沉積速率。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第二膜層沉積機(jī)構(gòu)包括：至少一組轉(zhuǎn)輪組、第一加熱組件和第二蒸發(fā)源；每組所述轉(zhuǎn)輪組包括相對設(shè)置的第三轉(zhuǎn)輪和第四轉(zhuǎn)輪，所述第三轉(zhuǎn)輪和所述第四轉(zhuǎn)輪用于將所述薄膜基帶傳輸至所述第二蒸發(fā)源的蒸發(fā)區(qū)域；

所述第一加熱組件位于所述第三轉(zhuǎn)輪和所述第四轉(zhuǎn)輪之間，且位于所述薄膜基帶的一側(cè)；

所述第二蒸發(fā)源位于所述薄膜基帶的另一側(cè)，所述第二蒸發(fā)源用于將第二靶材蒸發(fā)至所述薄膜基帶。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，所述第二膜層沉積機(jī)構(gòu)包括：兩組轉(zhuǎn)輪組；

其中一組轉(zhuǎn)輪組中的第四轉(zhuǎn)輪還用于將所述薄膜基帶傳輸至另一組轉(zhuǎn)輪組中的第三轉(zhuǎn)輪。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，所述第二膜層沉積機(jī)構(gòu)還包括：滑動組件；

所述滑動組件與至少一個轉(zhuǎn)輪連接，所述滑動組件用于帶動連接的轉(zhuǎn)輪沿靠近或遠(yuǎn)離所述第一加熱組件的方向移動。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，各組所述轉(zhuǎn)輪組中的所述第三轉(zhuǎn)輪共軸線，各組所述轉(zhuǎn)輪組中的所述第四轉(zhuǎn)輪共軸線；所述滑動組件包括：第一連接軸、第二連接軸、第一導(dǎo)軌和第二導(dǎo)軌，所述第一導(dǎo)軌的延伸方向和所述第二導(dǎo)軌的延伸方向，均與所述薄膜基帶在所述第二膜層沉積機(jī)構(gòu)中的膜層沉積面存在夾角；

所述第一連接軸的一端與各組所述轉(zhuǎn)輪組中的所述第三轉(zhuǎn)輪固定連接，所述第一連接軸的另一端與所述第一導(dǎo)軌滑動連接；

所述第二連接軸的一端與各組所述轉(zhuǎn)輪組中的所述第四轉(zhuǎn)輪固定連接，所述第二連接軸的另一端與所述第二導(dǎo)軌滑動連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第一膜層沉積機(jī)構(gòu)和所述第二膜層沉積機(jī)構(gòu)共用一個蒸發(fā)源。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第三膜層沉積機(jī)構(gòu)包括：第五轉(zhuǎn)輪和第六轉(zhuǎn)輪、濺射源和第二加熱組件；

所述第五轉(zhuǎn)輪和所述第六轉(zhuǎn)輪相對設(shè)置，所述第五轉(zhuǎn)輪和所述第六轉(zhuǎn)輪用于將所述薄膜基帶傳輸至所述濺射源的濺射區(qū)域；

所述第二加熱組件位于所述第五轉(zhuǎn)輪和所述第六轉(zhuǎn)輪之間，且位于所述薄膜基帶的一側(cè)；

所述濺射源位于所述薄膜基帶的另一側(cè)，所述濺射源用于將第三靶材濺射至所述薄膜基帶。