[發明專利]快閃存儲器及其形成方法

有效

• 申請號: 201910001630.3
• 申請日: 2019-01-02
• 公開（公告）號: CN109742076B
• 公開（公告）日: 2020-12-08
• 發明（設計）人: 于濤;李冰寒
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/11521
• 分類號: H01L27/11521
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

1.一種快閃存儲器的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底包括源線區和浮柵區，所述浮柵區與源線區鄰接且位于源線區兩側；

在半導體襯底上形成浮柵極結構膜；

在所述浮柵極結構膜上形成掩膜層，所述掩膜層內具有第一開口，第一開口暴露出部分浮柵極結構膜表面；

在所述第一開口側壁形成第一側墻；

以所述掩膜層和第一側墻為掩膜，刻蝕去除源線區的半導體襯底上的浮柵極結構膜，形成第二開口，所述第二開口暴露出的半導體襯底源線區表面；

在所述第二開口暴露出的半導體襯底源線區內形成源區；

在所述第二開口內形成源線層，所述源線層頂部表面低于浮柵極結構膜頂部表面；所述源線層與源區電連接；

在所述源線層上和第一開口內形成擦除柵極結構；

形成所述擦除柵極結構后，以所述擦除柵極結構及所述第一側墻為掩膜，去除半導體襯底的字線位線區上的掩膜層及浮柵極結構膜，形成浮柵極結構。

2.根據權利要求1所述的快閃存儲器的形成方法，其特征在于，所述半導體襯底還包括字線位線區，所述字線位線區位于源線區和浮柵區兩側，且所述字線位線區與浮柵區鄰接；還包括：分別在擦除柵極結構、浮柵極結構和源線層兩側字線位線區上形成字線結構，所述字線結構覆蓋浮柵極結構側壁；在字線結構、源線層和浮柵極結構兩側的半導體襯底字線位線區中形成漏區。

3.根據權利要求1所述的快閃存儲器的形成方法，其特征在于，所述源區的形成方法包括：形成第二開口后，對所述第二開口暴露出的半導體襯底進行離子摻雜，形成源區。

4.根據權利要求3所述的快閃存儲器的形成方法，其特征在于，形成源線層后，形成擦除柵極結構之前，還包括：去除部分第一側墻，使得所述第一側墻暴露出部分浮柵極結構頂部表面；在所述源線層上、浮柵極結構上和第一開口內形成擦除柵極結構。

5.根據權利要求1所述的快閃存儲器的形成方法，其特征在于，所述浮柵極結構的高度為300埃～2000埃。