[發明專利]用于在襯底的表面上沉積半導體結構的方法及相關半導體結構

在審

• 申請號: 201910001386.0
• 申請日: 2019-01-02
• 公開（公告）號: CN110112052A
• 公開（公告）日: 2019-08-09
• 發明（設計）人: D·科恩;N·巴爾加瓦;J·托勒;V·迪考斯塔
• 申請（專利權）人: ASMIP控股有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L29/06
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 沙永生;樂洪詠

1.一種用于在襯底的表面上沉積半導體結構的方法，所述方法包括：

在所述襯底的表面上方沉積第一IVA族半導體層；

使所述第一IVA族半導體層的暴露表面與包括第一氯化物氣體的第一氣體接觸；以及

在所述第一IVA族半導體層的表面上方沉積第二IVA族半導體層。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一氣體另外包括第一IVA族氣體。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述襯底的所述表面包括硅表面。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一IVA族半導體層包括硅鍺(Si_1-xGe_x)層。

5.根據權利要求4所述的方法，其中所述硅鍺(Si_1-xGe_x)層具有等于或大于0.30的鍺組成(x)。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一氯化物氣體包括鹽酸(HCl)或氯氣(Cl₂)中的至少一種。

7.根據權利要求2所述的方法，其中所述第一IVA族氣體包括二氯硅烷(DCS)、二氯硅烷、三氯硅烷、四氯硅烷、六氯硅烷、硅烷或鍺烷中的至少一種。

8.根據權利要求2所述的方法，其中所述第一氯化物氣體相對于所述第一IVA族氣體的流動速率比小于2:1。

9.根據權利要求1所述的方法，其中使所述第一IVA族半導體層的暴露表面與所述第一氣體接觸另外包括：使所述暴露表面接觸達小于60秒的時間段。

10.根據權利要求1所述的方法，其另外包括使所述第二IVA族半導體層的暴露表面與包括第二氯化物氣體的第二氣體接觸。

11.根據權利要求10所述的方法，其中所述第二氣體另外包括第二IVA族氣體。

12.根據權利要求1所述的方法，其中所述第二IVA族半導體層包括硅(Si)層。

13.根據權利要求1所述的方法，其中在所述第一IVA族半導體層的表面上方沉積所述第二IVA族半導體層，由此形成設置在所述第二IVA族半導體層與所述第一IVA族半導體層之間的界面層，其中所述界面層的厚度小于30埃。

14.根據權利要求13所述的方法，其中所述界面層的厚度小于15埃。

15.根據權利要求13所述的方法，其中所述界面層基本上沒有晶體缺陷。

16.根據權利要求1所述的方法，其中沉積第一IVA族半導體層、使所述第一IVA族半導體層的所述暴露表面與所述第一氣體接觸、以及沉積所述第二IVA族半導體層的所述方法包括沉積循環，并且所述方法另外包括一次或多次地重復所述沉積循環。

17.根據權利要求16所述的方法，其另外包括形成多個界面層，所述界面層中的每一界面層的厚度小于15埃。

18.根據權利要求1所述的方法，其另外包括將所述襯底加熱至低于700℃的襯底溫度。

19.根據權利要求2所述的方法，其中使所述第一IVA族半導體層的暴露表面與第一氣體接觸使得基本上不發生材料的凈沉積。

20.一種根據權利要求1所述的方法沉積的半導體結構。