[發(fā)明專利]一種微型發(fā)光二極管巨量轉(zhuǎn)移的方法及顯示器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910001105.1 | 申請(qǐng)日: | 2019-01-02 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109860092B | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-10-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 安金鑫;高威;朱充沛 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/683 | 分類號(hào): | H01L21/683;H01L27/15 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 210033 *** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 微型 發(fā)光二極管 巨量 轉(zhuǎn)移 方法 顯示器 | ||
本發(fā)明提供一種微型發(fā)光二極管巨量轉(zhuǎn)移方法及微型發(fā)光二極管顯示器,包括在三種顏色Micro LED陣列上形成金屬層,在陣列基板上形成對(duì)應(yīng)的鍵合金屬,采用三種顏色Micro LED陣列和陣列基板金屬鍵合的方式將三種顏色Micro LED分次轉(zhuǎn)移到陣列基板上。本發(fā)明通過(guò)在三種顏色Micro LED陣列上形成金屬層,在陣列基板上形成對(duì)應(yīng)的鍵合金屬,采用三種顏色Micro LED陣列和陣列基板金屬鍵合的方式將三種顏色Micro LED分次轉(zhuǎn)移到陣列基板上,該方法省去了轉(zhuǎn)移頭,降低了Micro LED顯示器的制造成本,制程簡(jiǎn)單,可操作性強(qiáng)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及LED封裝的技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種微型發(fā)光二極管巨量轉(zhuǎn)移方法及顯示器。
背景技術(shù)
發(fā)光二極管(Light Emitting Diode,簡(jiǎn)稱LED)是一種可以把電能轉(zhuǎn)化成光能的半導(dǎo)體二極管,具有體積小、亮度高和能耗小的特點(diǎn),被廣泛應(yīng)用在顯示器和照明領(lǐng)域。微型發(fā)光二極管(簡(jiǎn)稱Micro LED)是大小達(dá)到微米級(jí)的LED。
Micro LED顯示器具有高效率、高亮度、高可靠度、節(jié)能、體積小和厚度小等優(yōu)勢(shì),是新一代顯示技術(shù)。Micro LED顯示器制作過(guò)程中,需要將外延片經(jīng)過(guò)一系列工藝制作成一顆一顆的LED,然后將其轉(zhuǎn)移到陣列基板上。因?yàn)镸icro LED的尺寸特別小,若形成MicroLED顯示器所需要轉(zhuǎn)移到陣列基板上的數(shù)量特別龐大;這種將數(shù)量特別多的微型元件從一個(gè)基板上轉(zhuǎn)移到另一個(gè)基板上的技術(shù)稱之為巨量轉(zhuǎn)移。
目前主流的巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)是通過(guò)制作轉(zhuǎn)移頭,起到一個(gè)過(guò)渡的作用;具體操作為先從暫態(tài)基板上拾取微元件,再將微元件轉(zhuǎn)移到目的基板上。轉(zhuǎn)移頭原理為通過(guò)靜電力、磁力或者其他力將微元件吸取,再通過(guò)釋放掉吸取力,實(shí)現(xiàn)將微元件轉(zhuǎn)移到目的基板的目的。
為實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)化,目前基于轉(zhuǎn)移頭的巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)存在以下制約條件:
(1)結(jié)構(gòu)相對(duì)復(fù)雜
為實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)移頭所需的吸取力和滿足分批次轉(zhuǎn)移的功能,其結(jié)構(gòu)相對(duì)復(fù)雜,增加制造難度。
(2)可利用材料較少
根據(jù)轉(zhuǎn)移頭原理不同,往往需要特定的幾種或者某一類材料,選擇比較單一。
(3)可持續(xù)性較低
轉(zhuǎn)移頭為消耗品,可能用一段時(shí)間就需要重新制造,可持續(xù)性不高。
(4)制造成本較高
基于其結(jié)構(gòu)相對(duì)復(fù)雜,工藝環(huán)節(jié)較多;所需特殊材料特殊;是消耗品,它的總體制造成本較高。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種微型發(fā)光二極管巨量轉(zhuǎn)移方法,旨在解決現(xiàn)有微型發(fā)光二極管巨量轉(zhuǎn)移存在耗材大、制造成本高等問(wèn)題。
本發(fā)明提供一種微型發(fā)光二極管巨量轉(zhuǎn)移方法,包括如下步驟:
S1:提供一第一外延片和一第一暫態(tài)基板,在所述第一外延片上涂覆第一釋放膠并使所述第一外延片通過(guò)第一釋放膠與第一暫態(tài)基板粘合;第一外延片上鍍第一金屬層,對(duì)第一金屬層和第一外延片進(jìn)行圖案化處理形成第一種顏色Micro LED陣列;
S2:提供一第二外延片和一第二暫態(tài)基板,在所述第二外延片上涂覆第二釋放膠并使所述第二外延片通過(guò)第二釋放膠與第二暫態(tài)基板粘合;第二外延片上鍍第二金屬層,對(duì)第二金屬層和第二外延片進(jìn)行圖案化處理形成第二種顏色Micro LED陣列;
S3:提供一第三外延片和一第三暫態(tài)基板,在所述第三外延片上涂覆第三釋放膠并使所述第三外延片通過(guò)第三釋放膠與第三暫態(tài)基板粘合;第三外延片上鍍第三金屬層,對(duì)第三金屬層和第三外延片進(jìn)行圖案化處理形成第三種顏色Micro LED陣列;
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H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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