[發明專利]一種微型發光二極管巨量轉移的方法及顯示器有效
| 申請號: | 201910001105.1 | 申請日: | 2019-01-02 |
| 公開(公告)號: | CN109860092B | 公開(公告)日: | 2020-10-02 |
| 發明(設計)人: | 安金鑫;高威;朱充沛 | 申請(專利權)人: | 南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L27/15 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 210033 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 微型 發光二極管 巨量 轉移 方法 顯示器 | ||
1.一種微型發光二極管巨量轉移方法,其特征在于:包括如下步驟:
S1:提供一第一外延片和一第一暫態基板,在所述第一外延片上涂覆第一釋放膠并使所述第一外延片通過第一釋放膠與第一暫態基板粘合;第一外延片上鍍第一金屬層,對第一金屬層和第一外延片進行圖案化處理形成第一種顏色Micro LED陣列;
S2:提供一第二外延片和一第二暫態基板,在所述第二外延片上涂覆第二釋放膠并使所述第二外延片通過第二釋放膠與第二暫態基板粘合;第二外延片上鍍第二金屬層,對第二金屬層和第二外延片進行圖案化處理形成第二種顏色Micro LED陣列;
S3:提供一第三外延片和一第三暫態基板,在所述第三外延片上涂覆第三釋放膠并使所述第三外延片通過第三釋放膠與第三暫態基板粘合;第三外延片上鍍第三金屬層,對第三金屬層和第三外延片進行圖案化處理形成第三種顏色Micro LED陣列;
S4:提供一陣列基板,在陣列基板表面鍍一第一鍵合金屬層,對第一鍵合金屬層進行圖案化處理形成第一金屬陣列;
S5:帶有第一種顏色Micro LED陣列的第一暫態基板放置在陣列基板上,給第一釋放膠一定條件,使第一種顏色Micro LED陣列與第一暫存基板脫離;第一種顏色Micro LED陣列的第一金屬層和陣列基板上的第一金屬陣列進行金屬鍵合并形成第一種顏色金屬鍵合陣列留在陣列基板上;
S6:在步驟S5形成的陣列基板上涂第一光刻膠并在第一光刻膠上形成與第二種顏色Micro LED陣列位置對應的第一通孔;
S7:在S6步驟中的陣列基板上鍍與第一鍵合金屬層材料相同的第二鍵合金屬層,對第二鍵合金屬層進行圖案化處理形成位于第一通孔上方的第二金屬陣列;
S8:帶有第二種顏色Micro LED陣列的第二暫態基板放置在S7步驟形成的陣列基板上,給第二釋放膠一定條件,使第二種顏色Micro LED陣列與第二暫存基板脫離;第二種顏色Micro LED陣列的第二金屬層和陣列基板上的第二金屬陣列進行金屬鍵合并形成第二種顏色金屬鍵合陣列留在陣列基板上;
S9:在步驟S8形成的陣列基板上涂第二光刻膠并在第一光刻膠和第二光刻膠上形成第二通孔;
S10:在S9步驟中的陣列基板上鍍第三鍵合金屬,對第三鍵合金屬進行圖案化處理形成位于第二通孔上方的第三金屬陣列;
S11:帶有第三種顏色Micro LED陣列的第三暫態基板放置在S10步驟形成的陣列基板上,給第三釋放膠一定條件,使第三種顏色Micro LED陣列與第三暫存基板脫離;第三種顏色Micro LED陣列的第三金屬層和陣列基板上的第三金屬陣列進行金屬鍵合并形成第三種顏色金屬鍵合陣列留在陣列基板上。
2.根據權利要求1所述的微型發光二極管巨量轉移方法,其特征在于:所述第一釋放膠或第二釋放膠或第三釋放膠為光敏膠、壓敏膠和熱敏膠,所述一定條件為光照、加壓或者加熱。
3.根據權利要求1所述的微型發光二極管巨量轉移方法,其特征在于:所述金屬鍵合可以是共晶合金鍵合、擴散鍵合或瞬態液相鍵合。
4.根據權利要求1所述的微型發光二極管巨量轉移方法,其特征在于:所述第一金屬層、第二金屬層、第一鍵合金屬、第二鍵合金屬、第三鍵合金屬可為Sn/Au或Ag/In或In/Ni或Sn/Cu或Sn/Ag或Au/In。
5.根據權利要求1所述的微型發光二極管巨量轉移方法,其特征在于:所述步驟S6中第一光刻膠具有透射率好,且最低耐溫150℃。
6.根據權利要求1所述的微型發光二極管巨量轉移方法,其特征在于:所述步驟S6中第一通孔內可以部分填充第二鍵合金屬或者填滿第二鍵合金屬。
7.根據權利要求1所述的微型發光二極管巨量轉移方法,其特征在于:第一種顏色Micro LED陣列、第二種顏色Micro LED陣列和第三種顏色Micro LED陣列為藍色Micro LED陣列、綠色Micro LED陣列或紅色Micro LED陣列中任意一種。
8.一種微型發光二極管顯示器,其特征在于:包括權利要求1-7任意一項方法所制得的陣列基板,陣列基板上設有三個顏色金屬鍵合陣列,分別為紅色金屬鍵合陣列、綠色金屬鍵合陣列和藍色金屬鍵合陣列。
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





