[其他]具有高功率輸出的瓦片式接收器/發射器模塊

有效

• 申請號: 201890000967.1
• 申請日: 2018-10-31
• 公開（公告）號: CN211295345U
• 公開（公告）日: 2020-08-18
• 發明（設計）人: 泰蘭·埃克;埃姆拉·卡西;澤伊內普·安穆爾;埃達爾·薩吉納;尼漢·奧茲納茲利;塞布尼姆·薩吉納;阿達·奧茲根
• 申請（專利權）人: 阿塞爾桑電子工業及貿易股份公司
• 主分類號: H01Q1/00
• 分類號: H01Q1/00;H01Q21/00;H01Q23/00
• 代理公司: 北京北新智誠知識產權代理有限公司 11100
• 代理人: 王宏偉;陳小鈺

1.具有高功率輸出的瓦片式接收器/發射器模塊，所述模塊形成雷達和通信系統中使用的相控陣結構的一部分，其特征在于：所述模塊包括：

第一LTCC(低溫共燒陶瓷)模塊(1)，所述第一LTCC模塊上放置有高散熱的微波元件(1.1)，

第二LTCC模塊(2)，所述第二LTCC模塊上也放置有所述微波元件(1.1)，

第一插件(1.3)，所述第一插件位于所述第一LTCC模塊(1)的底部，并且提供所述第一LTCC模塊(1)和所述第二LTCC模塊(2)之間的射頻、DC功率以及控制連接，

PCB板(4)，所述PCB板為在所述第一LTCC模塊(1)和所述第二LTCC模塊(2)之中和之上的元件提供必要的所述DC功率和控制信號，

第二插件(2.2)，所述第二插件位于所述第二LTCC模塊(2)和所述PCB板(4)之間，用于將從所述PCB板(4)接收的所述DC功率和所述控制信號傳輸到所述第一LTCC模塊(1)和所述第二LTCC模塊(2)。

2.根據權利要求1所述的模塊，其特征在于：所述模塊包括位于所述第一LTCC模塊(1)上的提供降噪的所述微波元件(1.1)。

3.根據權利要求1所述的模塊，其特征在于：所述模塊包括布置在所述第一LTCC模塊(1)上的載體(1.4)，所述微波元件(1.1)可以放置在所述載體上。

4.根據權利要求3所述的模塊，其特征在于：所述載體(1.4)允許高熱量傳遞到冷卻器。

5.根據權利要求1所述的模塊，其特征在于：所述模塊包括在所述第一LTCC模塊(1)上的可伐合金框架(1.5)，以通過關閉所述框架上的蓋來保護所述微波元件免受外部影響。

6.根據權利要求5所述的模塊，其特征在于：所述可伐合金框架(1.5)的高度被生成略小于所述第一插件(1.3)的高度，以提供所述第一LTCC模塊(1)和所述第二LTCC模塊(2)之間的豎直RF轉換。

7.根據權利要求1所述的模塊，其特征在于：所述模塊包括位于所述第一LTCC模塊(1)上的RF連接器(1.2)，所述RF連接器提供天線和歧管連接。

8.根據權利要求1所述的模塊，其特征在于：所述模塊包括在所述第一插件(1.3)上的孔(1.3.1)，非焊接連接器被放置在所述孔中。

9.根據權利要求8所述的模塊，其特征在于：所述模塊包括在所述第一LTCC模塊(1)和所述第二LTCC模塊(2)上的焊盤(2.1)，所述非焊接連接器被放置在所述焊盤中。

10.根據權利要求1所述的模塊，其特征在于：所述模塊包括放置在所述第一LTCC模塊(1)和所述第二LTCC模塊(2)上的外圍元件(1.6)。

11.根據權利要求10所述的模塊，其特征在于：所述外圍元件(1.6)是電阻器和電容器。

12.根據權利要求1所述的模塊，其特征在于：所述模塊包括提供對準的銷(3)。

13.根據權利要求12所述的模塊，其特征在于：所述模塊包括放置在所述第一LTCC模塊(1)、所述第二LTCC模塊(2)、所述第一插件(1.3)、所述第二插件(2.2)和所述PCB板(4)上的銷空間(3.1)，其中所述銷(3)穿過所述銷空間以提供對準。

14.根據權利要求1所述的模塊，其特征在于：所述模塊包括所述第一LTCC模塊(1)上的轉換器(1.7)，所述轉換器(1.7)提供與所述微波元件(1.1)的連接。