[其他]高頻模塊

有效

• 申請號: 201890000301.6
• 申請日: 2018-02-28
• 公開（公告）號: CN210074170U
• 公開（公告）日: 2020-02-14
• 發明（設計）人: 上田英樹
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H01Q23/00
• 分類號: H01Q23/00;H01L23/00;H01Q5/378;H01Q13/08;H01Q13/10
• 代理公司: 11227 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 舒艷君;王秀輝

1.一種高頻模塊，具有：

電介質基板；

接地平面，設置于上述電介質基板的內部或者上表面；

高頻半導體元件，安裝于上述電介質基板的底面；

屏蔽結構，配置于比上述接地平面靠上述底面側的空間，從上述高頻半導體元件的下方和側方包圍上述高頻半導體元件，并與上述接地平面連接；

開口，設置于上述屏蔽結構；

放射結構部，使從上述高頻半導體元件輸出的高頻信號從上述開口作為電磁波放射；以及

上部放射元件，該上部放射元件配置于上述電介質基板的比上述接地平面靠上方的部分，并被上述高頻半導體元件驅動。

2.根據權利要求1所述的高頻模塊，其中，

上述屏蔽結構包含：第一部分，在比上述高頻半導體元件靠下方，與上述電介質基板平行地配置；以及第二部分，將上述第一部分與上述接地平面連接，

上述開口設置于上述第一部分。

3.根據權利要求1或2所述的高頻模塊，其中，

上述放射結構部包含貼片天線，該貼片天線配置于由上述接地平面和上述屏蔽結構圍起的空間內，并朝向上述開口放射電磁波。

4.根據權利要求1或2所述的高頻模塊，其中，

上述放射結構部包含：

饋電元件，配置于由上述接地平面和上述屏蔽結構圍起的空間內，并從上述高頻半導體元件饋電；以及

無饋電元件，配置在與上述開口相同的平面上，并且配置在上述開口的內側，與上述饋電元件電磁耦合。

5.根據權利要求1或2所述的高頻模塊，其中，

上述放射結構部包含：

貼片天線，配置在與上述開口相同的平面上，并且配置在上述開口的內側；

導體柱，從上述電介質基板的上述底面到達上述貼片天線；以及

傳輸線路，將高頻信號從上述高頻半導體元件傳輸至上述導體柱。

6.根據權利要求1或2所述的高頻模塊，其中，

上述放射結構部包含縫隙天線，該縫隙天線將上述開口設為縫隙。

7.根據權利要求6所述的高頻模塊，其中，

上述放射結構部包含激勵導體，該激勵導體配置于被上述屏蔽結構屏蔽的空間內，激勵上述縫隙天線。

8.根據權利要求6所述的高頻模塊，其中，

上述放射結構部包含差動傳輸線路，該差動傳輸線路從上述高頻半導體元件向上述縫隙天線供給差動信號。