[發明專利]具有改進的跨溫度可靠度與讀取性能的存儲器有效
| 申請號: | 201880100659.0 | 申請日: | 2018-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN113366571B | 公開(公告)日: | 2022-08-09 |
| 發明(設計)人: | 譚華;J·E·吳;朱盈穎;楊惠;周波 | 申請(專利權)人: | 美光科技公司 |
| 主分類號: | G11C11/417 | 分類號: | G11C11/417 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 王龍 |
| 地址: | 美國愛*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 改進 溫度 可靠 讀取 性能 存儲器 | ||
一種存儲器裝置包括:存儲器陣列,其包含存儲器胞元;溫度感測電路;及存儲器控制單元,其可操作地耦合到所述存儲器陣列。所述存儲器控制單元包含處理器。所述處理器經配置以:從所述溫度感測電路接收溫度信息;當所述溫度信息指示操作溫度在第一溫度范圍內時,使用第一閾值電壓分布來發起用數據編程所述存儲器胞元;及當所述溫度信息指示所述操作溫度在第二溫度范圍內時,使用第二閾值電壓分布來發起用數據編程所述存儲器胞元。
背景技術
存儲器裝置通常被提供為計算機或其它電子裝置中的內部半導體集成電路。存在許多不同類型的存儲器,包含易失性存儲器及非易失性存儲器。易失性存儲器可需要電力來維持數據,且包含隨機存取存儲器(RAM)、動態隨機存取存儲器(DRAM)及同步動態隨機存取存儲器(SDRAM)等等。非易失性存儲器可通過在未被供電時保留經存儲數據而提供持續數據,且可包含NAND快閃存儲器、NOR快閃存儲器、只讀存儲器(ROM)、電可擦除可編程ROM(EEPROM)、可擦除可編程ROM(EPROM)及電阻可變存儲器,例如相變隨機存取存儲器(PCRAM)、電阻式隨機存取存儲器(RRAM)及磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)、3D XPointTM存儲器等等。
存儲器胞元通常布置成矩陣或陣列。多個矩陣或陣列可組合到存儲器裝置中,且多個裝置可經組合以形成存儲器系統的存儲卷,例如固態硬盤(SSD)、通用快閃存儲(UFSTM)裝置、多媒體卡(MMC)固態存儲裝置、嵌入式MMC裝置(eMMCTM)等。
存儲器系統可包含執行用于操作存儲器裝置或與外部系統介接的邏輯功能的一或多個處理器或其它存儲器控制器。存儲器矩陣或陣列可包含組織成若干物理頁的若干存儲器胞元塊。存儲器系統可從主機接收與存儲器操作(例如在存儲器裝置與主機之間傳送數據(例如,用戶數據及相關聯完整性數據,例如錯誤數據及地址數據等)的讀取或寫入操作、從存儲器裝置擦除數據的擦除操作)相關聯的命令,或執行一或多個其它存儲器操作。
存儲器用作廣泛電子應用(包含例如個人計算機、便攜式存儲器條、數字相機、蜂窩電話、例如MP3播放器的便攜式音樂播放器、電影播放器及其它電子裝置)的易失性及非易失性數據存儲器。存儲器胞元可布置成陣列,其中所述陣列用于存儲器裝置中。
許多電子裝置包含數個主要組件:主機處理器(例如,中央處理單元(CPU)或其它主處理器);主存儲器(例如,一或多個易失性或非易失性存儲器裝置,例如動態RAM(DRAM)、靜態RAM(SRAM)、移動或低功率雙倍數據速率同步DRAM(DDR SDRAM)等);及存儲裝置(例如,非易失性存儲器(NVM)裝置,例如快閃存儲器、只讀存儲器(ROM)、SSD、MMC或其它存儲器卡結構或組合件,或易失性存儲器及非易失性存儲器的組合等)。在特定實例中,電子裝置可包含用戶接口(例如,顯示器、觸摸屏幕、鍵盤、一或多個按鈕等)、圖形處理單元(GPU)、電源管理電路、基帶處理器或一或多個收發器電路等。
附圖說明
在圖式(其不一定按比例繪制)中,相似數字可在不同視圖中描述類似組件。具有不同字母后綴的類似數字可表示類似組件的不同例子。圖式以實例方式而非限制方式大體上說明本文檔中所論述的各個實施例。
圖1說明包含主機及存儲器裝置的實例系統。
圖2是呈存儲器裝置的形式的包含非易失性存儲器胞元的設備的框圖。
圖3A是存儲器胞元的閾值電壓值分布的實例的說明。
圖3B是展示閾值電壓及對應位值的實例圖表。
圖4是通過存儲器控制單元執行的存儲器編程算法的編程遍次的說明。
圖5是具有可放置(placeable)閾值電壓的快閃存儲器裝置的部分的實例的說明。
圖6是操作存儲器裝置的方法的實例的流程圖。
圖7說明根據本文中所描述的一些實例的實例機器的框圖。
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