[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 201880099534.0
• 申請日: 2018-11-19
• 公開（公告）號: CN113039649A
• 公開（公告）日: 2021-06-25
• 發明（設計）人: 伊藤貴樹;大佐賀毅;木村光太
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/12;H01L29/78;H01L29/872
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

在半導體襯底(1)的上表面設置有氧化膜(4)。在半導體襯底(1)的上表面設置有保護環(3)。在保護環(3)與半導體襯底(1)的外端部之間的終端區域(7)，有機絕緣膜(6)與氧化膜(4)直接接觸。在終端區域(7)，在半導體襯底(1)的上表面設置有槽(8)。槽(8)被有機絕緣膜(6)填埋。

技術領域

本發明涉及要求耐濕性的半導體裝置。

背景技術

就半導體裝置而言，在半導體襯底的上表面設置有氧化膜，在氧化膜之上設置有聚酰亞胺。但是，由于氧化膜與聚酰亞胺的密接性弱，因此，當持續暴露在高濕下的情況下，隨著時間經過，水分從終端區域的聚酰亞胺與氧化膜的界面起行進。因此，存在在最外周的保護環與溝道截斷環之間引起電場集中的問題。與此相對，提出了為了提高耐濕性而使終端區域變長(例如，參照專利文獻1)。

專利文獻1：日本特開2015-220334號公報

發明內容

如果使終端區域變長，則電流流過的有效區域變窄，由于高電流密度化而使損耗特性變差，芯片尺寸變大。特別地，就SiC這樣的昂貴的材料而言，每單位面積的芯片成本非常昂貴，因此芯片尺寸變大這一情況會存在非常大的問題。

本發明就是為了解決上述這樣的課題而提出的，其目的在于得到不使終端區域變長就能夠提高耐濕性的半導體裝置。

本發明涉及的半導體裝置的特征在于，具有：半導體襯底；氧化膜，其設置于所述半導體襯底的上表面；保護環，其設置于所述半導體襯底的所述上表面；以及有機絕緣膜，其在所述保護環與所述半導體襯底的外端部之間的終端區域，與所述氧化膜直接接觸，在所述終端區域，在所述半導體襯底的所述上表面設置有槽，所述槽被所述有機絕緣膜填埋。

發明的效果

在本發明中，在終端區域，在半導體襯底的上表面設置有槽。水分從有機絕緣膜的端部侵入而沿著槽行進，因此，水分到達最外周的保護環為止的沿面距離變長。另外，槽被有機絕緣膜填埋，因此有機絕緣膜與氧化膜的密接性提高。由此，能夠防止水分從有機絕緣膜的端部起的行進，因此能夠提高耐濕性。并且，能夠將終端區域設計得短，因此芯片尺寸變小，能夠降低成本。

附圖說明

圖1是表示實施方式1涉及的半導體裝置的俯視圖。

圖2是沿圖1的A-B的剖面圖。

圖3是表示實施方式2涉及的半導體裝置的剖面圖。

具體實施方式

參照附圖，對實施方式涉及的半導體裝置進行說明。對相同或者相應的結構要素標注相同的標號，有時省略重復說明。

實施方式1.

圖1是表示實施方式1涉及的半導體裝置的俯視圖。半導體襯底1的中央部是電流流過的有效區域2。在有效區域2設置有晶體管或者二極管。以將有效區域2的周邊包圍的方式而在半導體襯底1的上表面設置有多個保護環3。

圖2是沿圖1的A-B的剖面圖。在半導體襯底1的上表面設置有氧化膜4。半導體襯底1是硅襯底，氧化膜4是硅氧化膜。在氧化膜4之上選擇性地設置有保護環3。以將保護環3覆蓋的方式而選擇性地設置有絕緣保護膜5。晶片狀態的半導體襯底1被切割而加工成芯片狀，被切割的部分成為半導體襯底1的外端部。

在氧化膜4以及絕緣保護膜5之上選擇性地設置有有機絕緣膜6。有機絕緣膜6例如是聚酰亞胺。在最外周的保護環3與半導體襯底1的外端部之間的終端區域7，有機絕緣膜6與氧化膜4直接接觸。有機絕緣膜6并未設置至半導體襯底1的外端部。