[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 201880099534.0
• 申請日: 2018-11-19
• 公開（公告）號: CN113039649A
• 公開（公告）日: 2021-06-25
• 發明（設計）人: 伊藤貴樹;大佐賀毅;木村光太
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/12;H01L29/78;H01L29/872
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

1.一種半導體裝置，其特征在于，具有：

半導體襯底；

氧化膜，其設置于所述半導體襯底的上表面；

保護環，其設置于所述半導體襯底的所述上表面；以及

有機絕緣膜，其在所述保護環與所述半導體襯底的外端部之間的終端區域，與所述氧化膜直接接觸，

在所述終端區域，在所述半導體襯底的所述上表面設置有槽，

所述槽被所述有機絕緣膜填埋。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

在所述終端區域，還具有在所述氧化膜與所述有機絕緣膜之間設置的密接膜，

所述密接膜與所述有機絕緣膜的密接性比所述有機絕緣膜與所述氧化膜的密接性高，

所述密接膜與所述氧化膜的密接性比所述有機絕緣膜與所述氧化膜的密接性高。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述密接膜的一部分從所述有機絕緣膜向所述半導體襯底的外側方向凸出。

4.根據權利要求2或3所述的半導體裝置，其特征在于，

所述密接膜設置有多個。

5.根據權利要求2至4中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述密接膜是四乙氧基硅烷膜。

6.根據權利要求2至4中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

還具有將所述保護環覆蓋的絕緣保護膜，

所述密接膜由與所述絕緣保護膜相同的材料構成。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述有機絕緣膜是聚酰亞胺。

8.根據權利要求1至7中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述半導體襯底由寬帶隙半導體構成。