[發明專利]基板處理裝置、半導體裝置的制造方法以及程序

在審

• 申請號: 201880097796.3
• 申請日: 2018-09-18
• 公開（公告）號: CN112740358A
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發明（設計）人: 加我友紀直;山本一良;林原秀元;淺井一秀
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 范勝杰;姚海

1.一種基板處理裝置，其包含執行由多個步驟構成的工藝制程并使基板處理系統進行動作的控制部，其特征在于，

所述控制部構成為：

在所述工藝制程的執行中，針對滿足預先決定的收集條件的步驟，收集針對所述基板處理系統中的監視對象的部件的部件數據，

生成表示收集到的所述部件數據的相關關系的相關曲線，

對所生成的所述相關曲線與預先存儲的成為基準的初始相關曲線進行比較，判定所述相關曲線與所述初始相關曲線的差量是否超過預先決定的閾值，在超過所述閾值的情況下產生警報。

2.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述控制部構成為：

具有定義了針對所述監視對象的部件的錯誤項目的組合模式的表格，

在超過所述閾值的情況下，根據按每個所述監視對象的部件收集到的所述部件數據確認所述錯誤項目的產生，與所述表格的相應的組合模式進行對照，確定產生了異常的所述監視對象的部件和該部件所產生的異常的原因。

3.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述監視對象的部件構成為至少分別選擇一個以上的所述基板處理系統所包含的反應室的氣體供給側的部件和所述反應室的氣體排出側的部件。

4.根據權利要求3所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述監視對象的部件是流量控制器和壓力傳感器。

5.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述預先決定的收集條件包含所述步驟的處理時間、所述基板處理系統所包含的排氣閥的開閉狀態、以及所述基板處理系統所包含的排氣裝置的動作狀態。

6.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述相關曲線構成為在縱軸標示所述基板處理系統所包含的壓力傳感器的實測值，在橫軸標示供給到所述基板處理系統所包含的反應室的氣體的實際流量。

7.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述控制部構成為按所述步驟確認是否與所述收集條件一致，在一致的步驟中，計算相對于測量所述反應室的壓力的壓力傳感器的實測值的、供給到所述反應室的氣體的實際流量。

8.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述初始相關曲線相當于所述基板處理部發揮規定的成膜性能的狀態下的所述相關曲線。

9.根據權利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，

作為針對所述監視對象的部件的錯誤項目，分別設置有與所述基板處理系統所包含的所述反應室的氣體供給側的部件相關聯的錯誤項目、和與所述反應室的氣體排出側的部件相關聯的錯誤項目。

10.根據權利要求9所述的基板處理裝置，其特征在于，

針對所述監視對象的部件的錯誤項目構成為所述基板處理系統所包含的質量流量控制器的零點電壓、所述質量流量控制器中的設定流量與實際流量的偏差、以及所述反應室的泄漏速率的組合。

11.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述控制部構成為在每次執行所述工藝制程時，生成所述相關曲線，并進行與所述初始相關曲線的比較。

12.根據權利要求9所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述控制部構成為在任意的多個點的所述實際流量中的所述實測值的差量的合計超過了所述閾值時產生警報。