[發(fā)明專利]粘著性膜及電子裝置的制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201880097408.1 | 申請日: | 2018-09-11 |
| 公開(公告)號: | CN112673465A | 公開(公告)日: | 2021-04-16 |
| 發(fā)明(設計)人: | 栗原宏嘉;五十嵐康二 | 申請(專利權)人: | 三井化學東賽璐株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;C09J7/20;C09J7/38;C09J11/06;C09J133/00;H01L21/56 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 陳彥;李宏軒 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 粘著 電子 裝置 制造 方法 | ||
1.一種粘著性膜,其為用于在電子裝置的制造工序中通過密封材將電子部件進行密封時,將所述電子部件進行臨時固定的粘著性膜,其具備:
用于將所述電子部件進行臨時固定的粘著性樹脂層(A)、
用于粘貼于支撐基板,并且通過外部刺激而粘著力降低的粘著性樹脂層(B)、以及
設置于所述粘著性樹脂層(A)與所述粘著性樹脂層(B)之間的中間層(C),
所述中間層(C)的120℃時的儲能彈性模量E’為1.0×105Pa以上8.0×106Pa以下,并且所述中間層(C)的120℃時的損耗角正切(tanδ)為0.1以下。
2.根據(jù)權利要求1所述的粘著性膜,所述粘著性樹脂層(B)通過加熱而粘著力降低。
3.根據(jù)權利要求2所述的粘著性膜,所述粘著性樹脂層(B)包含選自氣體產生成分和熱膨脹性微球中的至少一種。
4.根據(jù)權利要求1~3中任一項所述的粘著性膜,在將所述粘著性樹脂層(A)的整體設為100質量%時,所述粘著性樹脂層(A)中的選自氣體產生成分和熱膨脹性微球中的至少一種的含量為0.1質量%以下。
5.根據(jù)權利要求1~4中任一項所述的粘著性膜,所述密封材為環(huán)氧樹脂系密封材。
6.根據(jù)權利要求1~5中任一項所述的粘著性膜,所述粘著性樹脂層(A)包含(甲基)丙烯酸系粘著性樹脂。
7.一種電子裝置的制造方法,其至少具備下述工序:
工序(1),準備結構體,所述結構體具備:權利要求1~6中任一項所述的粘著性膜、粘貼于所述粘著性膜的所述粘著性樹脂層(A)的電子部件以及粘貼于所述粘著性膜的所述粘著性樹脂層(B)的支撐基板;
工序(2),通過密封材將所述電子部件進行密封;
工序(3),通過賦予外部刺激,使所述粘著性樹脂層(B)的粘著力降低,從所述結構體剝離所述支撐基板;以及
工序(4),從所述電子部件剝離所述粘著性膜。
8.根據(jù)權利要求7所述的電子裝置的制造方法,所述密封材為環(huán)氧樹脂系密封材。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





