[發明專利]半導體結構及其制備方法

在審

• 申請號: 201880097214.1
• 申請日: 2018-09-07
• 公開（公告）號: CN113169227A
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發明（設計）人: 程凱;劉凱
• 申請（專利權）人: 蘇州晶湛半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L21/338;H01L21/205
• 代理公司: 北京布瑞知識產權代理有限公司 11505
• 代理人: 孟潭

1.一種形成半導體結構的方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在所述襯底上形成不連續金屬原子層；

在所述不連續金屬原子層上形成外延層，其中，在所述外延層的生長過程中，將所述不連續金屬原子層中的金屬原子驅入到所述外延層中，使得所述外延層的至少一部分摻雜有金屬原子。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：

在所述襯底和所述不連續金屬原子層之間形成成核層。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述成核層包括GaN、AlN、AlGaN、AlInGaN或其組合。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述外延層包括GaN、AlN、AlGaN、AlInGaN或其組合。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述不連續金屬原子層中的金屬包括Fe、Mn、Sb、Bi、Cd、Zn、Mg、Na或其組合。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：

在所述外延層上形成異質結，以及

在所述異質結上形成柵極結構，源極接觸和漏極接觸。

7.一種半導體結構，其特征在于，包括：

襯底；

設置在所述襯底上的外延層，其中，所述外延層包括設置在所述襯底上的摻雜有金屬原子的金屬摻雜層，所述金屬原子的摻雜濃度從所述金屬摻雜層的下表面到上表面逐漸降低，所述金屬摻雜層的下表面的金屬原子的摻雜濃度高于1×10¹⁷atoms/cm³。

8.根據權利要求7所述的半導體結構，其特征在于，還包括：

設置在所述襯底和所述金屬摻雜層之間的成核層。

9.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述成核層包括GaN、AlN、AlGaN、AlInGaN或其組合。

10.根據權利要求7所述的半導體結構，其特征在于，所述外延層包括AlN、AlGaN、AlInN、AlInGaN或其組合。

11.根據權利要求7所述的半導體結構，其特征在于，所述金屬原子包括Fe、Mn、Sb、Bi、Cd、Zn、Mg、Na或其組合。

12.根據權利要求7所述的半導體結構，其特征在于，還包括：

設置在所述金屬摻雜層上的異質結，以及

設置在所述異質結上的柵極結構，源極接觸和漏極接觸。