[發明專利]存儲器結構及其形成方法

有效

• 申請號: 201880096614.0
• 申請日: 2018-08-03
• 公開（公告）號: CN112567514B
• 公開（公告）日: 2021-11-12
• 發明（設計）人: 陳赫;董金文;朱繼鋒;華子群;肖亮;王永慶
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578
• 代理公司: 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤;高翠花

1.一種存儲器結構，其特征在于，包括：

第一基底，包括：襯底層和存儲層，所述襯底層具有相對的第一表面和第二表面，所述存儲層位于所述襯底層的第一表面上，所述第一基底包括焊墊區域；

介質層，位于所述襯底層的第二表面上；

焊墊，位于所述焊墊區域上方的介質層表面；

隔離結構，貫穿所述襯底層，位于所述焊墊區域邊緣，包圍所述焊墊區域內的襯底層，用于隔離所述焊墊區域內的襯底層與所述隔離結構外圍的襯底層。

2.根據權利要求1所述的存儲器結構，其特征在于，還包括：第一接觸部，所述第一接觸部貫穿所述介質層和焊墊區域的襯底層；所述焊墊連接至所述第一接觸部。

3.根據權利要求2所述的存儲器結構，其特征在于，所述第一接觸部包括金屬柱以及位于所述金屬柱側壁表面的絕緣側墻。

4.根據權利要求2所述的存儲器結構，其特征在于，所述隔離結構的特征尺寸小于所述第一接觸部的特征尺寸。

5.根據權利要求1所述的存儲器結構，其特征在于，所述隔離結構包括貫穿所述襯底層的隔離溝槽和填充滿所述隔離溝槽的隔離材料。

6.根據權利要求1所述的存儲器結構，其特征在于，所述焊墊在襯底層上的投影與所述隔離結構之間的最小距離為0.5μm。

7.根據權利要求1所述的存儲器結構，其特征在于，所述隔離結構包括兩個以上套嵌設置的隔離環。

8.根據權利要求7所述的存儲器結構，其特征在于，相鄰隔離環之間的距離為0.8μm~1.2μm。

9.根據權利要求2所述的存儲器結構，其特征在于，所述存儲層內形成有第二接觸部，所述第一接觸部連接至所述第二接觸部。

10.根據權利要求1所述的存儲器結構，其特征在于，還包括：第二基底，所述第二基底內形成有外圍電路；所述第二基底鍵合于所述存儲層表面，所述存儲層內形成有存儲單元和連接所述存儲單元的存儲電路結構，所述第二基底內的外圍電路與所述存儲層內的存儲電路結構之間形成電連接。

11.一種存儲器結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供第一基底，包括襯底層和存儲層，所述襯底層具有相對的第一表面和第二表面，所述存儲層位于所述襯底層的第一表面上，所述第一基底包括焊墊區域；

在所述襯底層的第二表面形成介質層；

形成貫穿所述襯底層的隔離結構，所述隔離結構位于所述焊墊區域邊緣，包圍焊墊區域的襯底層，用于隔離所述焊墊區域內的襯底層與所述隔離結構外圍的襯底層；

在所述焊墊區域上方的介質層表面形成焊墊。

12.根據權利要求11所述的存儲器結構的形成方法，其特征在于，還包括：形成貫穿所述介質層和焊墊區域的襯底層的第一接觸部；所述焊墊連接至所述第一接觸部。

13.根據權利要求12所述的存儲器結構的形成方法，其特征在于，所述第一接觸部和隔離結構的形成方法包括：刻蝕所述介質層至所述襯底層，在所述介質層內形成第一開口和第二開口；沿所述第一開口和所述第二開口同時刻蝕所述襯底層，分別形成貫穿所述襯底層的隔離溝槽和接觸孔；形成填充滿所述隔離溝槽、第一開口以及覆蓋所述接觸孔和第二開口內壁表面的絕緣材料層；去除位于所述接觸孔底部的絕緣材料層；形成填充滿所述接觸孔和第二開口的金屬材料層，并以所述介質層為停止層進行平坦化處理。

14.根據權利要求12所述的存儲器結構的形成方法，其特征在于，所述隔離結構的特征尺寸小于所述第一接觸部的特征尺寸。