[發明專利]薄膜晶體管及其制造方法

在審

• 申請號: 201880096405.6
• 申請日: 2018-08-08
• 公開（公告）號: CN112740420A
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發明（設計）人: 大田裕之;井上智博
• 申請（專利權）人: 堺顯示器制品株式會社
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334
• 代理人: 葉乙梅

1.一種薄膜晶體管,其特征在于,包括：

基板；

柵極,被所述基板支承；

柵極絕緣層,覆蓋所述柵極；

半導體層，其為配置在所述柵極絕緣層上的半導體層,所述半導體層包括:第一區域、第二區域以及位于所述第一區域和所述第二區域之間的溝道區域；

第一接觸層,配置于所述半導體層的所述第一區域上；

第二接觸層,配置在所述半導體層的所述第二區域上；

源極,配置在所述第一接觸層上,經由所述第一接觸層與所述第一區域電連接；

漏極,配置在所述第二接觸層上,經由所述第二接觸層與所述第二區域電連接，

所述第一接觸層和所述第二接觸層分別具有包含第一非晶硅層的層疊結構，所述第一非晶硅層與所述源電極或所述漏電極直接接觸,

所述層疊結構包含N個雙層結構S(n)，其中N為1以上的整數，n為1以上且N以下的整數,所述N個雙層結構S(n)分別由第二非晶硅層、與所述第二非晶硅層的上表面直接接觸的第三非晶硅層構成,

在將所述雙層結構S(n)分別具有的所述第二非晶硅層中含有的n型雜質的濃度設為C2(n)，將所述第三非晶硅層中含有的n型雜質的濃度設為C3(n)，將所述第一非晶硅層中含有的n型雜質的濃度設為Cl時,對于任意的n,滿足C2(n)C3(n)C1的關系。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述N為3以上。

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述N為5以上。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述雙層結構S(n)中的所述第二非晶硅層和所述第三非晶硅層的厚度分別為20nm以下。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述第一非晶硅層的電阻率ρ1為300Ω·cm以下,所述第二非晶硅層的電阻率ρ2為1×10⁵Ω·cm以上,所述第三非晶硅層的電阻率ρ3為500Ω·cm以上且小于90000Ω·cm。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述濃度Cl為5×10¹⁹atoms/cm³以上且1×10²³atoms/cm³以下。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述濃度C3(n)為1.2×10¹⁷atoms/cm³以上且4×10¹⁹atoms/cm³以下，

所述濃度C2(n)為0以上且1.2×10¹⁷atoms/cm³以下。

8.根據權利要求1至7中任一項所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述層疊結構還包括與所述半導體層的所述第一區域或所述第二區域直接接觸的第四非晶硅層,

當設所述第四非晶硅層中含有的n型雜質的濃度為C4時,對于任意的n,滿足C2(n)＜C4的關系。

9.根據權利要求8所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述半導體層具有多晶硅區域,所述多晶硅區域包括所述第一區域、所述第二區域以及所述溝道區域,

所述第四非晶硅層中含有的n型雜質的濃度C4對于任意的n,滿足C3(n)＜C4的關系。

10.根據權利要求9所述的薄膜晶體管,其特征在于,

所述濃度C4為5×10¹⁹atoms/cm³以上且1×10²³atoms/cm³以下。