[發明專利]利用半導體發光元件的顯示裝置

在審

• 申請號: 201880096376.3
• 申請日: 2018-08-29
• 公開（公告）號: CN112534580A
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發明（設計）人: 金定燮;文盛賢;張永鶴;全支那
• 申請（專利權）人: LG電子株式會社
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/22;H01L33/36;H01L33/00
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 崔炳哲

本發明的顯示裝置具備復數個半導體發光元件，其特征在于，復數個所述半導體發光元件中的至少一個包括：第一導電型電極和第二導電型電極；第一導電型半導體層，所述第一導電型電極配置于所述第一導電型半導體層；第二導電型半導體層，其與所述第一導電型半導體層重疊，所述第二導電型電極配置于所述第二導電型半導體層；活性層，其配置在所述第一導電型半導體層和所述第二導電型半導體層之間；未摻雜(undoped)半導體層，其配置在所述第二導電型半導體層上；以及凸起，其形成在所述未摻雜半導體層上并由能夠進行電解研磨(Electro polishing)的多孔材料構成。

技術領域

本發明涉及顯示裝置，尤其，涉及一種利用半導體發光元件的顯示裝置。

背景技術

近來，在顯示器的技術領域中正在開發薄且具有柔性等的優異特性的顯示裝置。相反地，目前商業化了的顯示器主要以LCD(Liguid Crystal Display：液晶顯示器)和AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diodes：有源矩陣有機發光二極管)為代表。

然而，在LCD的情況下，存在有響應時間不快且難以實現柔性的問題，而在AMOLED的情況下，存在有壽命短、量產效率不佳的問題。

另一方面，發光二極管(Light Emitting Diode：LED)是用于將電流轉換為光的眾所周知的半導體發光元件，在1962年利用GaAsP(磷砷化鎵)化合物半導體的紅色LED成為商品化作為契機，與GaP:N系綠色LED一起被用作以信息通信設備為首的電子裝置的顯示圖像用光源。因此，可以利用所述半導體發光元件來實現顯示器，從而可以提供解決上述問題的方法。

當轉移所述半導體發光元件時，半導體發光元件可能因熱或化學藥品被損壞。另外，因設備成本高而增加了工藝成本，因此具有制造成本增加的缺點。由此，在本發明中公開了一種顯示裝置結構，當從生長基板分離出半導體發光元件時，所述顯示裝置結構能夠防止半導體發光元件損壞，并且能夠降低制造成本。

發明內容

發明要解決的問題

本發明的一個目的在于，提供一種顯示裝置，所述顯示裝置在從生長基板分離半導體發光元件的過程中，能夠防止由熱或化學藥品所造成的半導體發光元件的損壞，并且能夠降低制造成本。

本發明的另一個目的在于，提供一種具備減少了表面泄漏電流的半導體發光元件的顯示裝置及其制造方法。

用于解決問題的手段

本發明的顯示裝置具備復數個半導體發光元件，其特征在于，所述半導體發光元件中的至少一個包括：第一導電型電極和第二導電型電極；第一導電型半導體層，所述第一導電型電極配置于所述第一導電型半導體層；第二導電型半導體層，其與所述第一導電型半導體層重疊，所述第二導電型電極配置于所述第二導電型半導體層；活性層，其配置在所述第一導電型半導體層和所述第二導電型半導體層之間；未摻雜(undoped)半導體層，其配置在所述第二導電型半導體層上；以及凸起，其形成在所述未摻雜半導體層上并由能夠進行電解研磨(Electro polishing)的多孔材料構成。

根據實施例，其特征在于，所述凸起由第二導電型半導體形成，并且具有比所述第二導電型半導體層更高的雜質濃度。

根據實施例，其特征在于，在所述第二導電型半導體層和所述未摻雜半導體層之間還設置有中間層，所述中間層由第二導電型半導體形成，并且包含鋁(Al)。

根據實施例，其特征在于，包括包覆所述中間層的側面的氧化膜，所述氧化膜包括氧化鋁膜(Al_xO_y)。

根據實施例，其特征在于，包括鈍化層，其包覆所述第一導電型半導體層、所述第二導電型半導體層以及所述活性層的表面的至少一部分。