[發(fā)明專利]利用半導(dǎo)體發(fā)光元件的顯示裝置

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880096376.3
• 申請(qǐng)日: 2018-08-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112534580A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-03-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金定燮;文盛賢;張永鶴;全支那
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: LG電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/15
• 分類號(hào): H01L27/15;H01L33/22;H01L33/36;H01L33/00
• 代理公司: 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 崔炳哲

1.一種顯示裝置，其具備復(fù)數(shù)個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，

復(fù)數(shù)個(gè)所述半導(dǎo)體發(fā)光元件中的至少一個(gè)包括：

第一導(dǎo)電型電極和第二導(dǎo)電型電極；

第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，所述第一導(dǎo)電型電極配置于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；

第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，與所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層重疊，所述第二導(dǎo)電型電極配置于所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；

活性層，配置在所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層和所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間；

未摻雜(undoped)半導(dǎo)體層，配置在所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上；以及

凸起，形成在所述未摻雜半導(dǎo)體層并由能夠進(jìn)行電解研磨的多孔材料構(gòu)成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，

所述凸起由第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體形成，所述凸起的雜質(zhì)濃度比所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層更高。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，

在所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層和所述未摻雜半導(dǎo)體層之間還設(shè)置有中間層，

所述中間層由第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體形成并包含鋁(Al)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其特征在于，

包括氧化膜，所述氧化膜包覆所述中間層的側(cè)面，

所述氧化膜包括氧化鋁膜(Al_xO_y)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，

包括鈍化層，所述鈍化層包覆所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層以及所述活性層的表面的至少一部分。

6.一種顯示裝置的制造方法，其特征在于，包括：

薄膜形成步驟，使導(dǎo)電層、保護(hù)層、犧牲層、未摻雜半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、活性層以及第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層在生長(zhǎng)基板上依次生長(zhǎng)；

第一隔離步驟，對(duì)所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、所述活性層以及所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的至少一部分進(jìn)行蝕刻，并形成鈍化層；

第二隔離步驟，對(duì)所述鈍化層、所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、所述未摻雜半導(dǎo)體層、所述犧牲層以及所述保護(hù)層的至少一部分進(jìn)行干法蝕刻；

電解研磨(Electro Polishing)步驟，以電化學(xué)方式對(duì)所述犧牲層進(jìn)行蝕刻，以形成多孔結(jié)構(gòu)；以及

機(jī)械剝離(mechanical lift-off)步驟，切割所述多孔結(jié)構(gòu)而形成凸起，

所述保護(hù)層包含鋁(Al)，

所述犧牲層由第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體形成，所述犧牲層的雜質(zhì)濃度比所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層更高，

所述第二隔離步驟中的干法蝕刻的反應(yīng)氣體包含氧氣。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于，

所述保護(hù)層的鋁的構(gòu)成比為50％以下。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于，

所述保護(hù)層由含有AlGaN和GaN的復(fù)數(shù)個(gè)層形成，

復(fù)數(shù)個(gè)所述層中的至少一個(gè)層包含第二導(dǎo)電型雜質(zhì)。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于，

在所述第二隔離步驟中，形成包覆所述保護(hù)層的側(cè)面的氧化膜，

所述氧化膜包括氧化鋁膜(Al_xO_y)。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于，

在所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層和所述未摻雜半導(dǎo)體層之間還設(shè)置有中間層，

所述中間層由第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體形成并包含鋁(Al)。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于，

所述中間層的鋁的構(gòu)成比為50％以下。