[發(fā)明專利]半導體裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880096310.4
• 申請日: 2018-08-08
• 公開（公告）號: CN112534571A
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 大宅大介;林田幸昌;本宮哲男
• 申請（專利權(quán)）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L23/04
• 分類號: H01L23/04;H01L25/07;H01L25/18
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張?zhí)焓?/td>

特征在于，具有：第1電極；第2電極；樹脂殼體，其包圍該第1電極和該第2電極；以及樹脂絕緣部，其在該樹脂殼體的內(nèi)側(cè)覆蓋該第1電極的一部分和該第2電極的一部分，該樹脂絕緣部的材料與該樹脂殼體相同。該樹脂絕緣部與該樹脂殼體的內(nèi)壁接觸或與該樹脂殼體的內(nèi)壁分離。通過在該樹脂絕緣部形成有位于該第1電極和該第2電極之間的槽，從而對該第1電極和該第2電極之間提供了沒有該樹脂絕緣部的空間或與該樹脂絕緣部不同的物質(zhì)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及例如在電氣化鐵路用設(shè)備、電力用設(shè)備或汽車用設(shè)備的電動機控制中使用的半導體裝置。

背景技術(shù)

在專利文獻1中公開了實現(xiàn)填充在封裝件內(nèi)的封裝樹脂的減量，并且在主端子的端部框架間確保充分的絕緣耐力的半導體裝置。在專利文獻1中公開了為了增大2個主端子的絕緣沿面距離而在樹脂殼體的內(nèi)壁面形成凹槽。

專利文獻1：日本特開平10-41460號公報

發(fā)明內(nèi)容

為了避免裝置的大型化并且將2個電極絕緣，有時在電極間設(shè)置絕緣耐量比空氣高的材料。例如在電極間設(shè)置樹脂殼體而實現(xiàn)電極間的絕緣的情況下，由于在樹脂殼體存在氣泡或金屬異物，因此絕緣性能有可能會劣化。為了確保被樹脂殼體覆蓋的電極的絕緣而增大了電極間的距離。在該情況下，由于避免不了殼體的大型化，因此難以實現(xiàn)半導體裝置的小型化。特別地，就設(shè)想到高耐壓下的使用的高耐壓半導體模塊而言，如果不將電極間的距離增大，則無法確保電極間的絕緣。

本發(fā)明就是為了解決上述問題而提出的，其目的在于提供確保電極間的絕緣并且適于小型化的半導體裝置。

本發(fā)明涉及的半導體裝置的特征在于，具有：第1電極；第2電極；樹脂殼體，其包圍該第1電極和該第2電極；以及樹脂絕緣部，其在該樹脂殼體的內(nèi)側(cè)覆蓋該第1電極的一部分和該第2電極的一部分，該樹脂絕緣部的材料與該樹脂殼體相同，在該樹脂絕緣部形成有位于該第1電極和該第2電極之間的槽。

本發(fā)明的其他特征將在以下闡明。

發(fā)明的效果

根據(jù)本發(fā)明，能夠提供下述半導體裝置，其通過在樹脂殼體的內(nèi)側(cè)在覆蓋電極的樹脂絕緣部設(shè)置有槽，從而能夠確保電極間的絕緣并且適于小型化。

附圖說明

圖1是實施方式1涉及的半導體裝置的俯視圖。

圖2是圖1的半導體裝置的仰視圖。

圖3是將圖2的一部分放大后的斜視圖。

圖4是被樹脂絕緣部覆蓋的電極的剖視圖。

圖5是實施方式2涉及的半導體裝置的局部剖視圖。

圖6是實施方式3涉及的半導體裝置的局部剖視圖。

圖7是變形例涉及的半導體裝置的局部剖視圖。

圖8是實施方式4涉及的半導體裝置的局部剖視圖。

圖9是變形例涉及的半導體裝置的局部剖視圖。

圖10是實施方式5涉及的半導體裝置的局部剖視圖。

圖11是對比例涉及的半導體裝置的剖視圖。

具體實施方式

參照附圖對實施方式涉及的半導體裝置進行說明。對相同或?qū)?yīng)的結(jié)構(gòu)要素標注相同標號，有時省略重復說明。

實施方式1.

圖1是實施方式1涉及的半導體裝置的俯視圖。該半導體裝置具有樹脂殼體10。樹脂殼體10的材料例如為PPS(聚苯硫醚樹脂)、PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)和PBT(聚對苯二甲酸丁二醇酯)的混合物、PBT或尼龍等工程塑料。樹脂殼體10的蓋能夠設(shè)為與樹脂殼體10相同的材料。