[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 201880096310.4
• 申請日: 2018-08-08
• 公開（公告）號: CN112534571A
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發明（設計）人: 大宅大介;林田幸昌;本宮哲男
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L23/04
• 分類號: H01L23/04;H01L25/07;H01L25/18
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

1.一種半導體裝置，其特征在于，具有：

第1電極；

第2電極；

樹脂殼體，其包圍所述第1電極和所述第2電極；以及

樹脂絕緣部，其在所述樹脂殼體的內側覆蓋所述第1電極的一部分和所述第2電極的一部分，該樹脂絕緣部的材料與所述樹脂殼體相同，

在所述樹脂絕緣部形成有位于所述第1電極和所述第2電極之間的槽。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述樹脂絕緣部與所述樹脂殼體的內壁接觸。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述槽設置于所述第1電極和所述第2電極最接近的部分。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述槽的深度大于或等于從所述槽的存在開口端的位置算起的所述第1電極或所述第2電極的埋入深度。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第1電極為集電極電極，所述第2電極為發射極電極。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述槽形成有多個。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

具有在所述槽設置的有機材料的絕緣體。

8.根據權利要求1至6中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

具有在所述槽設置的無機材料的固體的絕緣體。

9.根據權利要求1至6中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

對所述槽提供了絕緣性比空氣高的絕緣氣體。

10.根據權利要求1至9中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

具有在所述樹脂殼體中設置的半導體芯片。

11.根據權利要求10所述的半導體裝置，其特征在于，

所述半導體芯片由寬帶隙半導體形成。

12.根據權利要求11所述的半導體裝置，其特征在于，

所述寬帶隙半導體為碳化硅、氮化鎵類材料或金剛石。