[發(fā)明專利]大氣壓等離子體發(fā)生裝置有效
申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201880096124.0 | 申請(qǐng)日: | 2018-08-02 |
公開(公告)號(hào): | CN112543990B | 公開(公告)日: | 2023-10-24 |
發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 神藤高廣 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社富士 |
主分類號(hào): | H01L21/3065 | 分類號(hào): | H01L21/3065 |
代理公司: | 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219 | 代理人: | 楊青;安翔 |
地址: | 日本愛知*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
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摘要: | |||
搜索關(guān)鍵詞: | 大氣壓 等離子體 發(fā)生 裝置 | ||
1.一種大氣壓等離子體發(fā)生裝置,具備:
一對(duì)電極,通過放電而產(chǎn)生等離子體;
反應(yīng)室,在所述反應(yīng)室中內(nèi)置所述一對(duì)電極,具有供處理氣體流入的流入口及供通過所述一對(duì)電極而將所述處理氣體等離子體化后的等離子氣體流出的流出口;及
控制裝置,控制從所述流出口流出的所述等離子氣體的溫度,以使NOx的產(chǎn)生量為閾值以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大氣壓等離子體發(fā)生裝置,其中,
所述大氣壓等離子體發(fā)生裝置具備配置于所述等離子氣體的流路的NOx傳感器,
所述控制裝置基于所述NOx傳感器的輸出而進(jìn)行控制。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的大氣壓等離子體發(fā)生裝置,其中,
所述等離子氣體是氧等離子氣體,
所述大氣壓等離子體發(fā)生裝置具備配置于所述等離子氣體的流路的臭氧傳感器,
所述控制裝置基于所述臭氧傳感器的輸出而控制所述等離子氣體的溫度,以使臭氧的產(chǎn)生量處于預(yù)定值以上的范圍。
4.根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的大氣壓等離子體發(fā)生裝置,其中,
所述大氣壓等離子體發(fā)生裝置具備配置于所述等離子氣體的流路的溫度傳感器,
所述控制裝置以使基于所述溫度傳感器的輸出而得出的溫度成為目標(biāo)溫度的方式進(jìn)行控制。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的大氣壓等離子體發(fā)生裝置,其中,
所述大氣壓等離子體發(fā)生裝置具備對(duì)所述處理氣體及所述反應(yīng)室中的至少一方進(jìn)行冷卻的冷卻裝置,
所述控制裝置通過控制所述冷卻裝置來控制所述等離子氣體的溫度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1~5中任一項(xiàng)所述的大氣壓等離子體發(fā)生裝置,其中,
所述大氣壓等離子體發(fā)生裝置具備:
冷卻器,對(duì)所述處理氣體及所述反應(yīng)室中的至少一方進(jìn)行冷卻;及
加熱裝置,對(duì)所述等離子氣體進(jìn)行加熱,
所述控制裝置通過控制所述加熱裝置來控制所述等離子氣體的溫度。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的大氣壓等離子體發(fā)生裝置,其中,
所述冷卻器具有供冷卻加熱氣體流動(dòng)的氣體流路,
所述加熱裝置具有:
氣體管,與所述氣體流路連結(jié),供所述冷卻加熱氣體流動(dòng),
加熱器,配置于所述氣體管;及
連結(jié)部,與所述氣體管連結(jié),在所述等離子氣體的流路具有噴出口,
通過從所述噴出口對(duì)所述等離子氣體噴出由所述加熱器加熱后的所述冷卻加熱氣體而對(duì)所述等離子氣體進(jìn)行加熱。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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