[發(fā)明專利]一種集成電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201880094420.7 | 申請日: | 2018-06-07 |
| 公開(公告)號: | CN112292916B | 公開(公告)日: | 2022-02-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉立筠;張珊;劉國文;吳韋 | 申請(專利權(quán))人: | 華為技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H05K9/00 | 分類號: | H05K9/00 |
| 代理公司: | 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11363 | 代理人: | 郭放;許偉群 |
| 地址: | 518129 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 集成電路 | ||
一種集成電路,包括基板,承載在所述基板上的芯片,以及屏蔽殼體。屏蔽殼體覆蓋芯片和基板,屏蔽殼體由導(dǎo)電材料制成。基板中設(shè)有第一接地層,第一接地層包括第一接地部和第二接地部,第一接地層在第一接地部和第二接地部之間斷開。基板底部設(shè)有第一接地接口和第二接地接口。第一接地部與所述屏蔽殼體和第一接地接口電連接,第二接地部與芯片和第二接地接口電連接。本申請通過在芯片和基板上覆蓋屏蔽殼體,以及將接地層分割為第一接地部和第二接部,達(dá)到降低芯片的電磁干擾的同時(shí)避免屏蔽殼體上的靜電流至第一接地部時(shí)可能對芯片造成的損壞。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及電子產(chǎn)品制造技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種集成電路。
背景技術(shù)
隨著半導(dǎo)體產(chǎn)品系統(tǒng)化、微小化的不斷發(fā)展,電子元器件(芯片)非常容易受到不同電磁輻射的干擾。電磁輻射會(huì)嚴(yán)重影響信號傳輸?shù)倪B續(xù)性和準(zhǔn)確性。因此,產(chǎn)品的抗電磁干擾設(shè)計(jì)變得越來越重要。電磁干擾(Electro-Magnetic Interference,EMI)通常包括射頻干擾(Radio Frequency Interference)和磁場干擾等。射頻干擾是由于同一產(chǎn)品的不同RF模塊(WCDMA,LTE,WiFi/BTGPS)相互之間的干擾。磁場干擾是電子產(chǎn)品硬件電路由于電流、電壓的變化產(chǎn)生磁場的變化而產(chǎn)生。電子產(chǎn)品中電流電壓頻率越高,產(chǎn)品越小,受電磁干擾的危害越大。
常規(guī)的EMI解決方案是在產(chǎn)品外面加一層導(dǎo)電性良好的金屬層/殼或?qū)щ娊橘|(zhì)(抗電磁干擾隔離層-EMI Shielding)。EMI Shielding是直接在封裝體上面和側(cè)面直接覆蓋屏蔽導(dǎo)電介質(zhì)(通過濺鍍,電鍍,噴涂等方式),從而達(dá)到電磁屏蔽的效果。
電子元器件焊接在基板上,電子元器件和基板側(cè)面附著屏蔽層(EMI Shielding),基板含有單層或者多層銅層,每層銅層都由接線布線部和接地布線部組成。屏蔽層直接或通過其他方式與接地布線部相連接,使屏蔽層接地,以便達(dá)到更好的隔離效果。
現(xiàn)有的接地產(chǎn)品結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),當(dāng)有發(fā)生ESD靜電放電時(shí),高壓電流會(huì)通過屏蔽層流向接地布線部。而接地布線部與內(nèi)部線路非常近,容易在線路中誘導(dǎo)出瞬間電流(強(qiáng)電場的快速變化),非常容易導(dǎo)致電子元器件電流過載,最后使元器件電性能失效或者降低。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)上述技術(shù)問題,本申請?zhí)峁┮环N集成電路。能夠同時(shí)提高電子產(chǎn)品防電磁干擾和抗靜電釋放的能力。
本申請是通過如下方法實(shí)現(xiàn)的:
一方面,本申請具體實(shí)施例提供一種集成電路,包括基板,承載在基板上的芯片,以及屏蔽殼體,屏蔽殼體覆蓋芯片和基板,屏蔽殼體由導(dǎo)電材料制成;基板中設(shè)有第一接地層,第一接地層包括第一接地部和第二接地部,第一接地層在第一接地部和第二接地部之間斷開;基板底部設(shè)有第一接地接口和第二接地接口;第一接地部與屏蔽殼體和第一接地接口電連接,第二接地部與芯片和第二接地接口電連接。
通過在芯片和基板上覆蓋屏蔽殼體,以及將接地層分割為第一接地部和第二接部,達(dá)到降低芯片的電磁干擾的同時(shí)避免屏蔽殼體上的靜電流至第一接地部時(shí)可能對芯片造成的損壞。
在一個(gè)可能的設(shè)計(jì)中,基板中還設(shè)有第二接地層,第二接地層包括第三接地部和第四接地部,第三接地部與第一接地接口電連接,第四接地部與第二接地接口電連接,第二接地層在第三接地部和第四接地部之間斷開。第二接地層在第三接地部和第四接地部之間的斷口,與第一接地層在第一接地部和第二接地部之間的斷口錯(cuò)開。
通過將不同接地層中接地部之間的斷口錯(cuò)開設(shè)置,減少通過斷口進(jìn)入芯片的電磁干擾信號,從而進(jìn)一步降低芯片的電磁干擾。
在一個(gè)可能的設(shè)計(jì)中,基板中還設(shè)有第三接地層,第三接地層包括第五接地部,第五接地部與第二接地接口電連接且與屏蔽殼體分離。
在一個(gè)可能的設(shè)計(jì)中,芯片設(shè)置在基板上表面,屏蔽殼體包裹基板的側(cè)部。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于華為技術(shù)有限公司,未經(jīng)華為技術(shù)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201880094420.7/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:薄膜晶體管及其制造方法
- 下一篇:更換裝置





