[發明專利]一種感光芯片封裝結構、攝像頭模組及移動終端有效
| 申請號: | 201880094335.0 | 申請日: | 2018-08-27 |
| 公開(公告)號: | CN112930598B | 公開(公告)日: | 2022-06-17 |
| 發明(設計)人: | 矢島淳史;冉坤;羅振東;傅立峰;林威智;黃昌福 | 申請(專利權)人: | 榮耀終端有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N5/225 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 潘平 |
| 地址: | 518040 廣東省深圳市福田區香蜜湖街道*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 感光 芯片 封裝 結構 攝像頭 模組 移動 終端 | ||
1.一種感光芯片封裝結構,包括基板、貼裝于所述基板的感光芯片,所述感光芯片背離所述基板的一側具有感光區以及圍繞感光區的非感光區,所述感光芯片與所述基板通過金屬線電連接;其特征在于,還包括:
框架,設置于所述感光芯片背離所述基板的一側,所述框架朝向所述基板的一側開設有用于避讓所述金屬線的避讓槽,所述避讓槽沿所述框架的側邊延伸,且所述避讓槽的內壁為弧形內壁;
填充膠,填充于所述避讓槽內,用于包裹所述金屬線并將所述框架與所述感光芯片的非感光區和所述基板粘接;
所述框架具有設置于所述避讓槽的兩側的第一擋壁和第二擋壁,所述第一擋壁位于所述避讓槽靠近所述感光區的一側,所述第一擋壁的下端面與所述感光芯片間隔設置,所述第二擋壁的下端面與所述基板間隔設置。
2.如權利要求1所述的感光芯片封裝結構,其特征在于,所述框架上對應所述感光芯片的感光區具有透光孔;
所述感光芯片封裝結構還包括濾光片,所述濾光片設置于所述框架上與所述透光孔相對的位置。
3.如權利要求2所述的感光芯片封裝結構,其特征在于,所述濾光片固定于所述框架朝向所述感光芯片的一側。
4.如權利要求2所述的感光芯片封裝結構,其特征在于,所述框架背離所述感光芯片的一側具有沉孔,所述沉孔與所述透光孔形成環形臺階結構,所述濾光片固定于所述環形臺階結構上。
5.如權利要求4所述的感光芯片封裝結構,其特征在于,所述沉孔的深度不小于所述濾光片的厚度。
6.如權利要求1所述的感光芯片封裝結構,其特征在于,當所述感光芯片封裝結構還包括固定于所述框架朝向所述感光芯片的一側的濾光片時,所述濾光片的側壁用于形成所述第一擋壁的內側壁。
7.如權利要求1所述的感光芯片封裝結構,其特征在于,所述第一擋壁的內側壁與所述第一擋壁的下端面形成的夾角為鈍角。
8.如權利要求1所述的感光芯片封裝結構,其特征在于,所述第二擋壁的內側壁包括相連接的第一弧形面和第二弧形面,其中,所述第一弧形面與所述第二擋壁的下端面連接,且所述第一弧形面朝向所述避讓槽的內部凸出,所述第二弧形面背向所述避讓槽的內部凸出。
9.如權利要求8所述的感光芯片封裝結構,其特征在于,所述第一弧形面的半徑大于所述第二弧形面的半徑,所述第一弧形面在第一平面的投影的寬度大于所述第二弧形面在第一平面的投影的寬度,其中,所述第一平面為所述基板上貼裝感光芯片的一側所在平面。
10.如權利要求8所述的感光芯片封裝結構,其特征在于,所述第二擋壁的內側壁的第一端和其第二端之間的連線與所述第二擋壁的下端面形成的夾角為鈍角,其中,所述第二擋壁的內側壁的第一端為第二擋壁的內側壁與所述第二擋壁的下端面的連接端,所述第二擋壁的內側壁的第二端為第二擋壁的內側壁與所述避讓槽的底壁的連接端。
11.如權利要求1至10任一項所述的感光芯片封裝結構,其特征在于,所述避讓槽沿所述框架的單邊、雙邊或三邊設置,且所述框架未設置避讓槽的一側具有與所述基板連接的側壁,所述填充膠與側壁共同封裝所述感光芯片的感光區。
12.如權利要求1至10任一項所述的感光芯片封裝結構,其特征在于,所述避讓槽沿所述框架的四邊呈環形設置,所述填充膠封裝所述感光芯片的感光區。
13.如權利要求1至10任一項所述的感光芯片封裝結構,其特征在于,所述基板上避開所述感光芯片的區域設置有表面貼裝器件,所述框架設置有覆蓋所述表面貼裝器件的凸緣。
14.如權利要求13所述的感光芯片封裝結構,其特征在于,所述框架還包括支撐柱,所述支撐柱的一端與所述基板連接,另一端與所述框架連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





