[發明專利]成膜裝置有效
| 申請號: | 201880093587.1 | 申請日: | 2018-06-08 |
| 公開(公告)號: | CN112135924B | 公開(公告)日: | 2023-01-03 |
| 發明(設計)人: | 織田容征 | 申請(專利權)人: | 東芝三菱電機產業系統株式會社 |
| 主分類號: | C23C16/46 | 分類號: | C23C16/46;B05D1/26 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 劉英華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 裝置 | ||
本發明的目的在于提供一種能夠不降低成膜品質、成膜速度地、以低成本在基板上形成薄膜的成膜裝置。而且,在本發明中,紅外光照射器(2)配置于下部容器(62)內的從傳送帶(53)分離的位置。紅外光照射器(2)從多個紅外光燈(22)朝向上方照射紅外光,執行對載置于帶(52)的上表面的多個基板(10)的加熱處理。在成膜室(6A)內,通過同時執行基于紅外光照射器(2)的紅外光照射的加熱處理和基于薄膜形成噴嘴(1)的霧噴射處理,從而在載置于帶(52)的上表面的基板(10)上形成薄膜。
技術領域
本發明涉及用于太陽能電池等電子器件的制造中、在基板上形成薄膜的成膜裝置。
背景技術
作為在基板上形成膜的方法,有化學氣相沉積(CVD(Chemical VaporDeposition))法。但是,在化學氣相沉積法中,需要真空下的成膜的情況多,除了真空泵等以外,還需要使用大型的真空容器。進而,在化學氣相沉積法中,從成本等觀點出發,存在難以采用大面積的基板作為被成膜的基板的問題。因此,能夠進行大氣壓下的成膜處理的霧法受到關注。
作為與利用了霧法的成膜裝置有關的現有技術,例如存在專利文獻1的技術。
在專利文獻1的技術中,從在包含霧噴射用噴嘴等的霧噴射頭部的底面設置的原料溶液噴出口以及反應材料噴出口,對于配置于大氣中的基板噴射被霧化的原料溶液以及反應材料。通過該噴射,在基板上形成膜。此外,反應材料是指有助于與原料溶液的反應的材料。
圖3是表示以往的成膜裝置的概略結構的說明圖。如該圖所示,作為基板載置部的基板裝載臺30在上表面載置有多個基板10。
基板裝載臺30具有基于真空吸附的吸附機構31,通過該吸附機構31,能夠將所載置的多個基板10各自的整個背面吸附于基板裝載臺30的上表面上。而且,基板裝載臺30在吸附機構31的下方設置有加熱機構32,通過該加熱機構32,能夠對載置于基板裝載臺30上表面的多個基板10執行加熱處理。
薄膜形成噴嘴1(霧噴射部)執行從設置于噴射面1S的噴射口向下方噴射原料霧MT的霧噴射處理。另外,原料霧MT是將原料溶液霧化而得到的霧,能夠通過薄膜形成噴嘴1將原料霧MT向大氣中噴射。
薄膜形成噴嘴1、基板裝載臺30、在基板裝載臺30的上表面上載置的多個基板10全部被收納于成膜室60中。成膜室60由上部容器68、下部容器69以及門67構成。成膜室60在進行成膜處理時,使門67為關閉狀態而將上部容器68、下部容器69間的開口部封堵,由此能夠將薄膜形成噴嘴1、基板裝載臺30以及多個基板10從外部隔斷。
因此,通過使成膜室60的門67為關閉狀態,在加熱機構32的加熱處理中,通過薄膜形成噴嘴1執行霧噴射處理,由此能夠在載置于基板裝載臺30上表面的基板10上形成薄膜。
這樣,以往的成膜裝置通過同時執行基于薄膜形成噴嘴1的霧噴射處理和基于加熱機構32的加熱處理,由此在基板10上形成薄膜。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:國際公開第2017/068625號
發明內容
發明解決的技術問題
如上所述,以往的成膜裝置,一般是將加熱機構32設置于在上表面上載置成為成膜對象物的基材即基板10的基板裝載臺30的內部,并將基板裝載臺30用作平面型加熱機構。
在使用如基板裝載臺30那樣的平面型加熱機構的情況下,使基板裝載臺30的上表面與基板10的背面接觸,使基板裝載臺30、基板10之間傳熱而執行基板10的加熱處理。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





