[發(fā)明專利]晶片的制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880090100.4
• 申請日: 2018-02-21
• 公開（公告）號: CN111758152A
• 公開（公告）日: 2020-10-09
• 發(fā)明（設計）人: 田中利幸;橋本靖行
• 申請（專利權(quán)）人: 勝高股份有限公司
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;B24B7/04;B24B27/06
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 張澤洲;王瑋

本發(fā)明的晶片的制造方法具備第1樹脂粘貼磨削工序、第2樹脂粘貼磨削工序及第3平面磨削工序，第1樹脂粘貼磨削工序具備：第1涂層形成工序，在晶片的整個第二面形成第1涂層；第1平面磨削工序，以第1涂層抵接于工作臺的基準面的方式載置晶片并且平面磨削晶片的第一面；以及第1涂層去除工序,去除第1涂層，第2樹脂粘貼磨削工序具備：第2涂層形成工序,在整個第一面形成第2涂層；第2平面磨削工序,以第2涂層抵接于工作臺的基準面的方式載置晶片并且平面磨削第二面；以及第2涂層去除工序，去除第2涂層，在第3平面磨削工序中，以最后進行平面磨削的面抵接于工作臺的基準面的方式載置晶片，并且平面磨削晶片中的與抵接于基準面的面相反的一側(cè)的面。

技術領域

本發(fā)明涉及一種晶片的制造方法。

背景技術

以往，關于晶片，為了以照相雕刻制作細微的圖案，要求對晶片正面進行平坦化。尤其被稱作“納米形貌”的正面起伏具有波長λ=0.2mm～20mm的成分，是PV值（Peak toValley值：峰谷值）0.1μm～0.2μm以下的起伏，最近，提出通過降低該納米形貌提高晶片的平坦度的技術（例如，參考專利文獻1及專利文獻2）。

專利文獻1的制造方法包括以樹脂覆蓋從錠切出的晶片的整個第一面的樹脂涂布工序以及保持晶片的第一面且磨削晶片的第二面，然后保持晶片的第二面且磨削晶片的第一面的工序。

專利文獻2的制造方法中，在晶片的第二面涂布固化性樹脂，將該固化性樹脂加工至平坦并使其固化后，保持固化性樹脂的平坦面，磨削晶片的第一面，然后，去除固化性樹脂。并且，以下，有時將該技術稱作“樹脂粘貼磨削”。接著，保持樹脂粘貼磨削后的晶片的第一面，磨削第二面。然后，反覆進行樹脂粘貼磨削以及通過該樹脂粘貼磨削未被磨削的面的平面磨削。

另一方面，作為將單晶錠切片的方法，為了可靠地向單晶錠的圓筒中心附近供給磨粒，不采用向線材供給包含磨粒的切削液的游離磨粒方式，而是采用通過線材外周面固定有磨粒的固定磨粒線鋸切片的方式（例如，專利文獻3）。

現(xiàn)有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開平08-066850號公報

專利文獻2：日本特開2015-008247號公報

專利文獻3：日本特開2010-074056號公報。

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明所要解決的技術問題

上述專利文獻1所示的基于樹脂涂布處理的磨削工序中，由于維持晶片的起伏、彎曲的狀態(tài)下進行樹脂涂布處理，因此有因由樹脂厚度差異引起的樹脂部的彈性變形量大小而導致起伏殘留的問題。

并且，上述專利文獻2中，通過將樹脂粘貼磨削與平面磨削以該順序重復進行，雖然可去除起伏，但由于重復進行晶片的雙面磨削，因此最低也需要進行4次磨削工序，從而有生產(chǎn)率低的問題。

并且，以往即使在晶片正面殘留有起伏，也會以在利用在樹脂涂布工序中涂布于晶片正面上的樹脂制造出平坦的基準面的狀態(tài)下去除起伏的方式進行磨削處理，因此未將進行切片時的晶片的正面狀態(tài)視為問題。但是，根據(jù)本發(fā)明的發(fā)明人的實驗，發(fā)現(xiàn)即使進行如專利文獻1中所記載的樹脂涂布處理，鏡面拋光處理后的晶片正面的納米形貌品質(zhì)也不充分。

而且，發(fā)現(xiàn)如專利文獻3所示，在切片工序中，當使用固定磨粒線材時，對晶片的加工損傷很大，在切斷后的晶片正面上發(fā)生的起伏也變得非常大，因此有納米形貌更惡化的問題。

本發(fā)明的目的在于提供一種能夠在不降低生產(chǎn)率的條件下制造出納米形貌特性優(yōu)異的晶片的晶片制造方法。

用于解決技術問題的方案