[發明專利]晶片的制造方法在審
| 申請號: | 201880090100.4 | 申請日: | 2018-02-21 |
| 公開(公告)號: | CN111758152A | 公開(公告)日: | 2020-10-09 |
| 發明(設計)人: | 田中利幸;橋本靖行 | 申請(專利權)人: | 勝高股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;B24B7/04;B24B27/06 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 張澤洲;王瑋 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶片 制造 方法 | ||
1.一種晶片的制造方法,磨削使用線鋸裝置將單晶錠切片而得到的晶片,所述晶片的制造方法具備:
第1樹脂粘貼磨削工序、第2樹脂粘貼磨削工序以及第3平面磨削工序,
所述第1樹脂粘貼磨削工序具備:
第1涂層形成工序,在所述晶片的整個第二面涂布固化性材料而形成平坦的第1涂層;
第1平面磨削工序,以所述第1涂層抵接于磨削裝置的工作臺的基準面的方式,將所述晶片載置于所述工作臺,接著通過所述磨削裝置平面磨削所述晶片的第一面;以及
第1涂層去除工序,從所述晶片的第二面去除所述第1平面磨削工序后的所述第1涂層,
所述第2樹脂粘貼磨削工序具備:
第2涂層形成工序,在所述晶片的整個第一面涂布固化性材料而形成平坦的第2涂層;
第2平面磨削工序,以所述第2涂層抵接于磨削裝置的工作臺的基準面的方式,將所述晶片載置于所述工作臺,接著通過所述磨削裝置平面磨削所述晶片的第二面;以及
第2涂層去除工序,從所述晶片的第一面去除所述第2平面磨削工序后的所述第2涂層,
所述第3平面磨削工序中,
以最后進行平面磨削的面抵接于磨削裝置的工作臺的基準面的方式,將所述晶片載置于所述工作臺,接著通過所述磨削裝置平面磨削所述晶片中的與抵接于所述基準面的面相反的一側的面。
2.根據權利要求1所述的晶片的制造方法,其中,
在所述第2樹脂粘貼磨削工序與所述第3平面磨削工序之間,
進一步僅進行所述第1樹脂粘貼磨削工序,或
進一步將所述第1樹脂粘貼磨削工序及所述第2樹脂粘貼磨削工序以該順序至少重復進行1次,或
進一步將所述第1樹脂粘貼磨削工序及所述第2樹脂粘貼磨削工序以該順序至少重復進行1次,最后進行所述第1樹脂粘貼磨削工序。
3.根據權利要求1所述的晶片的制造方法,其中,
所述第1樹脂粘貼磨削工序中的磨削量為所述第3平面磨削工序中的磨削量以上。
4.根據權利要求1~3中任一項所述的晶片的制造方法,其中,
所述線鋸裝置是使用固定磨粒線材的切片方式。
5.根據權利要求1~4中任一項所述的晶片的制造方法,其中,
所述晶片的直徑為300mm以上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





