[發明專利]LED陣列的波長轉換層圖案化

有效

• 申請號: 201880090080.0
• 申請日: 2018-12-20
• 公開（公告）號: CN111712932B
• 公開（公告）日: 2023-10-20
• 發明（設計）人: D·R·錢柏林;E·M·勒林;D·B·羅伊特曼;清水健太郎
• 申請（專利權）人: 亮銳有限責任公司
• 主分類號: H01L33/50
• 分類號: H01L33/50
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 于非凡;閆小龍

公開了一種波長轉換層，該波長轉換層包括大小為50?500nm并封裝在無鈰的YAG殼中的多個磷光體粒，以及粘合多個磷光體粒的粘合劑材料，該波長轉換層具有附接到發光表面的5?20微米的厚度。

背景技術

精密控制照明應用可能需要生產和制造發光二極管（LED）像素系統。制造這樣的LED像素系統會需要精確地沉積材料，這是因為像素的大小是小的和系統之間的小的巷道空間。用于這樣的LED像素系統的部件的小型化可能導致較大的LED像素系統中不存在的非預期效果。

包括LED、諧振腔發光二極管（RCLED）、垂直腔激光二極管（VCSEL）和邊緣發射激光器的半導體發光器件躋身于當前可用的最有效的光源。在能夠跨可見光譜操作的高亮度發光器件的制造中，當前感興趣的材料系統包括III-V族半導體，特別是鎵、鋁、銦和氮的二元、三元和四元合金，也被稱為III族氮化物材料。典型地，通過由金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）、分子束外延（MBE）或其他外延技術在藍寶石、碳化硅、III族氮化物、復合物或其他合適的襯底上外延生長具有不同成分和摻雜劑濃度的半導體層的堆疊來制造III族氮化物發光器件。該堆疊常常包括在襯底之上形成的用例如Si摻雜的一個或多個n型層、在該一個或多個n型層之上形成的有源區中的一個或多個發光層、以及在該有源區之上形成的用例如Mg摻雜的一個或多個p型層。在n型區和p型區上形成電接觸部。

III族氮化物器件通常被形成為倒裝或倒裝芯片器件，其中n接觸部和p接觸部兩者都形成在半導體結構的同一側上，并且大部分光從半導體結構的與接觸部相反的一側提取。

發明內容

公開了一種波長轉換層，該波長轉換層包括大小為50-500nm并封裝在無鈰的YAG殼中的多個磷光體粒，以及粘合多個磷光體粒的粘合劑材料，該波長轉換層具有附接到發光表面的5-20微米的厚度。

附圖說明

從下面的描述中可以得到更詳細的理解，下面的描述是結合附圖作為示例給出的，在附圖中：

圖1A是3×3像素矩陣的俯視圖示圖；

圖1B是10×10像素矩陣的俯視圖示圖；

圖1C是藍寶石襯底上的3×3像素矩陣的示圖；

圖1D是LED陣列的截面圖示圖；

圖1E是發光器件的截面圖示圖；

圖1F是生成波長轉換層段的方法；

圖1G是硅氧烷化合物的示圖；

圖1H是在轉換器材料上的納米壓印光刻模具的示圖；

圖1I是圖1H的轉換器材料上的納米壓印光刻模具的中間步驟的示圖；

圖1J是網狀的俯視圖示圖；

圖1K是圖1J的網狀的截面圖；

圖2A是在一個實施例中在LED器件附接區處具有附接到襯底的LED陣列的電子板的俯視圖；

圖2B是兩通道集成LED照明系統的一個實施例的示圖，其中電子部件安裝在電路板的兩個表面上；

圖2C是示例性車輛前燈系統；以及

圖3示出了示例性光照系統。

具體實施方式

在下文中將參照附圖更全面地描述不同的光照系統和/或發光二極管（“LED”）實現方式的示例。這些示例不是互相排斥的，并且可以將在一個示例中找到的特征與在一個或多個其他示例中找到的特征組合，以實現附加的實現方式。因此，將理解到，附圖中所示的示例僅出于說明性目的提供，并且它們不意圖以任何方式限制本公開。相似的數字始終指代相似的元件。