[發明專利]鍍層裝置以及鍍層系統

有效

• 申請號: 201880089834.0
• 申請日: 2018-03-13
• 公開（公告）號: CN111801445B
• 公開（公告）日: 2022-07-05
• 發明（設計）人: 山本渡;小巖仁子;秋山勝徳;星野芳明
• 申請（專利權）人: 株式會社山本鍍金試驗器
• 主分類號: C25D17/12
• 分類號: C25D17/12;C25D21/12
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250
• 代理人: 程鋼

本發明提供一種可合適地測量微均鍍能力的鍍層裝置。本發明的第一鍍層裝置(1A)具備：第一陽極(12A)，其設置在第一鍍層槽(11A)內；絕緣性基材(4)，其設置在第一鍍層槽(11A)內且具有孔部(5)；一對第一陰極(13AX、13AY)，其分別設置在孔部(5)的底部與絕緣性基材(4)中的孔部(5)的開口側的表面；第一鍍層電源(14A)，其用于在第一陽極(12)與一對第一陰極(13AX、13AY)之間流動電流；以及第一電流計測電路(22A)，其計測在一對第一陰極(13AX、13AY)的各自流動的電流值。

技術領域

本發明涉及一種用于例如哈林槽(Haring cell)試驗等的鍍層裝置以及鍍層系統。

背景技術

以往，作為評價鍍層性能的方法，已知有哈林槽試驗。在哈林槽試驗中，將陽極配置于一對陰極之間并進行鍍層，評價在一對陰極析出的鍍層的均一電附著(electrodeposition)性。

在電性鍍層中，電流密度與鍍層(金屬)析出量之間基本上是成比例關系。但是，若能求得析出量相對在大范圍的電流密度不產生太大差別的條件，則能夠對復雜形狀的制品進行一定膜厚的鍍層成膜。這樣，將與電流密度無關地可獲得均一的鍍層膜厚的性能稱為均一電附著性。

電流分布與均一電附著性有較大關聯，電流分布可大致分為一次電流分布與二次電流分布。一次電流分布與鍍層浴、鍍層條件等無關，而是由鍍層槽內的幾何學的條件(被鍍層物的形狀、鍍層槽的形狀、電極配置等)決定，且可通過數學的計算等而求得。鍍層分布的大部分是通過相關的一次電流分布而決定。

但是，實際進行鍍層時，在陰極界面中產生分極現象，而發生新的電流分布即二次電流分布。二次電流分布由陰極中的分極、鍍層浴的傳導度等的電化學的特性所決定，會因鍍層浴的種類、添加劑的種類以及數量等而變化。

發明內容

發明要解決的問題

在以往的哈林槽試驗中，測量均一電附著性之中的在被鍍層物的表面整體均一地析出皮膜的能力即巨均鍍能力(macro throwing power)。但是，在以往的哈林槽試驗中，無法測量在被鍍層物的凹部(槽、孔等)析出皮膜的能力即微均鍍能力(micro throwingpower)。

本發明是鑒于前述問題點而作出的，本發明的課題是提供一種可以合適地測量微均鍍能力的鍍層裝置以及鍍層系統。

解決問題的方案

為了解決前述課題，本發明的鍍層裝置，其特征在于，具備：陽極，其設置在鍍層槽內；絕緣性基材，其設置在前述鍍層槽內且具有孔部；一對陰極，其分別設置在前述孔部的底部與前述絕緣性基材中的前述孔部的開口側的表面；鍍層電源，其用于在前述陽極與前述一對陰極之間流動電流；以及電流計測部或電壓測量部，前述電流計測部計測在前述一對陰極的各自流動的電流值，前述電壓測量部計測前述一對陰極的各自的電壓值。

發明效果

利用本發明，可合適地測量微均鍍能力。

附圖簡要說明

圖1(a)是表示本發明的第一實施方式所涉及的第一鍍層裝置的示意圖，圖1(b)是示意性地表示第一陰極的剖視圖。

圖2是表示本發明的第一實施方式所涉及的第一鍍層裝置的電路圖的一例的圖。

圖3是表示本發明的第一實施方式所涉及的第一鍍層裝置的電路圖的一例的圖。

圖4是表示本發明的第二實施方式所涉及的鍍層系統的示意圖。

圖5是表示本發明的第二實施方式所涉及的第二鍍層裝置的電路圖的一例的圖。

圖6是表示本發明的第二實施方式所涉及的第二鍍層裝置的電路圖的一例的圖。