[發(fā)明專利]基板清洗方法及清洗裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201880088255.4 | 申請(qǐng)日: | 2018-02-07 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111656486A | 公開(公告)日: | 2020-09-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王暉;王希;陳福平;張曉燕;陳福發(fā) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 盛美半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/02 | 分類號(hào): | H01L21/02 |
| 代理公司: | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人: | 陸嘉 |
| 地址: | 201203 上海市浦東新區(qū)中國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 清洗 方法 裝置 | ||
本發(fā)明揭示了一種基板清洗方法,包括步驟:將基板放置在基板保持裝置上;對(duì)基板實(shí)施少氣泡或無氣泡的預(yù)濕潤(rùn)工藝;實(shí)施超聲波或兆聲波清洗工藝清洗基板。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及清洗基板的方法及裝置。更具體地說,涉及聲能應(yīng)用于基板清洗之前的預(yù)處理工藝,以避免基板清洗過程中氣泡破壞性內(nèi)爆,從而更有效地去除基板上圖形結(jié)構(gòu)中的微粒。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體器件是在半導(dǎo)體基板上制造,使用許多不同的處理步驟來創(chuàng)建晶體管和互連元件。近年來,晶體管由二維發(fā)展到三維,如finFET晶體管和3D NAND存儲(chǔ)器。為了將晶體管終端與半導(dǎo)體基板電連接,導(dǎo)電(如金屬)溝槽、通孔等作為半導(dǎo)體器件的一部分在介電材料中形成。溝槽和通孔可以在晶體管之間、內(nèi)部電路以及外部電路傳遞電信號(hào)和能量。
為了在半導(dǎo)體基板上形成finFET晶體管和互連元件,半導(dǎo)體基板需要經(jīng)過多個(gè)步驟,如掩膜、刻蝕和沉積來形成所需的電子線路。尤其,多層掩膜和等離子體刻蝕步驟可以在半導(dǎo)體基板的電介質(zhì)層形成finFET、3D NAND閃存單元和/或凹陷區(qū)域的圖形作為晶體管的fin和/或互連元件的溝槽和通孔。為了去除刻蝕或光刻膠灰化過程中在fin結(jié)構(gòu)和/或溝槽和通孔中產(chǎn)生的顆粒和污染物,需要進(jìn)行濕法清洗。特別是,當(dāng)器件制造節(jié)點(diǎn)延伸至16或14nm以及更小時(shí),fin和/或溝槽和通孔的側(cè)壁損失是維護(hù)臨界尺寸的關(guān)鍵。為了減少或消除側(cè)壁損失,使用溫和的或稀釋的化學(xué)液,有時(shí)只使用去離子水是很重要的。然而,稀釋的化學(xué)液或去離子水通常不能有效去除fin結(jié)構(gòu)、3D NAND孔和/或溝槽和通孔內(nèi)的顆粒。因此,為了有效去除這些顆粒,需要使用例如超聲波或兆聲波等機(jī)械力。超聲波或兆聲波會(huì)產(chǎn)生氣穴振蕩為基板結(jié)構(gòu)提供機(jī)械力。猛烈的氣穴振蕩例如不穩(wěn)定的氣穴振蕩或微噴射將損傷這些圖形結(jié)構(gòu)。維持穩(wěn)定或可控的氣穴振蕩是控制機(jī)械力損傷限度并有效去除微粒的關(guān)鍵參數(shù)。
圖1A和圖1B描述了在基板1010清洗過程中,不穩(wěn)定的氣穴振蕩損壞基板1010上的圖形結(jié)構(gòu)1030。不穩(wěn)定的氣穴振蕩可由用于清洗基板1010的聲能產(chǎn)生。如圖1A和圖1B所示,由氣泡1050內(nèi)爆引起的微噴射發(fā)生在圖形結(jié)構(gòu)1030頂部的上方并且很猛烈(可達(dá)到幾千大氣壓和幾千攝氏度),這可破壞基板1010上的圖形結(jié)構(gòu)1030,特別是當(dāng)特征尺寸t縮小到70nm或更小時(shí)。
通過控制清洗過程中的氣泡的氣穴振蕩克服了由氣泡內(nèi)爆引起的微噴射導(dǎo)致的基板圖形結(jié)構(gòu)損壞。可以在整個(gè)基板上實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定或可控的氣穴振蕩,以避免圖形結(jié)構(gòu)的損壞,這已在2015年5月20日提交的專利申請(qǐng)?zhí)枮镻CT/CN2015/079342中公開。
在某些情況下,即使用于清洗基板的超聲波或兆聲波的功率強(qiáng)度降低到非常低的水平(幾乎沒有顆粒去除率),基板上的圖形結(jié)構(gòu)的損壞仍會(huì)發(fā)生。損壞的數(shù)量很少(100以下)。然而,通常情況下,在超聲波或兆聲波輔助清洗過程中,氣泡的數(shù)量有數(shù)萬個(gè)。基板上圖形結(jié)構(gòu)的損壞數(shù)量與氣泡的數(shù)量不匹配。這種現(xiàn)象的機(jī)理尚未可知。
參考圖2A所示,在超聲波或兆聲波輔助清洗基板的過程中,有一種現(xiàn)象是,盡管用于清洗基板2010的超聲波或兆聲波的功率強(qiáng)度降低到非常低的水平(幾乎沒有顆粒去除率),但基板2010上的圖形結(jié)構(gòu)2030的損壞仍然發(fā)生。此外,通常是圖形結(jié)構(gòu)2030的單壁受到損壞。圖2A給出了兩個(gè)例子。一個(gè)例子是,圖形結(jié)構(gòu)2030的單壁朝一側(cè)剝落,另一個(gè)例子是,圖形結(jié)構(gòu)2030的單壁的一部分被去除。盡管圖2A僅給出了兩個(gè)例子,但應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到,其他類似的損壞可能會(huì)發(fā)生。是什么導(dǎo)致了這些損壞的發(fā)生?
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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