[發(fā)明專利]基板清洗方法及清洗裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201880088255.4 | 申請(qǐng)日: | 2018-02-07 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111656486A | 公開(公告)日: | 2020-09-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王暉;王希;陳福平;張曉燕;陳福發(fā) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 盛美半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/02 | 分類號(hào): | H01L21/02 |
| 代理公司: | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人: | 陸嘉 |
| 地址: | 201203 上海市浦東新區(qū)中國*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 清洗 方法 裝置 | ||
1.一種基板清洗方法,其特征在于,包括:
將基板放置在基板保持裝置上;
對(duì)基板實(shí)施少氣泡或無氣泡的預(yù)濕潤工藝;
實(shí)施超聲波或兆聲波清洗工藝清洗基板。
2.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述少氣泡或無氣泡的預(yù)濕潤工藝包括在基板周圍建立真空環(huán)境,然后向基板上提供預(yù)濕潤化學(xué)藥液或化學(xué)藥霧。
3.如權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,真空度設(shè)置在25Torr及以上。
4.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述少氣泡或無氣泡的預(yù)濕潤工藝包括汽化預(yù)濕潤化學(xué)溶液,然后將汽化的液體分子提供到基板表面以在基板上形成預(yù)濕潤化學(xué)液層。
5.如權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于,使用聲波發(fā)生法將預(yù)濕潤化學(xué)溶液轉(zhuǎn)化為氣相分子。
6.如權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于,進(jìn)一步包括加熱汽化的液體分子,使汽化的液體分子的溫度高于基板的溫度。
7.如權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于,進(jìn)一步包括冷卻基板,使基板的溫度低于汽化的液體分子的溫度。
8.如權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于,使用加熱的方法將預(yù)濕潤化學(xué)溶液轉(zhuǎn)化為氣相分子。
9.如權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于,所述預(yù)濕潤化學(xué)溶液包括表面活性劑或添加劑。
10.如權(quán)利要求9所述的方法,其特征在于,所述表面活性劑是含羧基的乙二胺四乙酸(EDTA)或四羧基乙二胺四丙酸(EDTP)酸或鹽。
11.如權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于,所述預(yù)濕潤化學(xué)溶液包括氧化劑以將基板表面從疏水性氧化成親水性。
12.如權(quán)利要求11所述的方法,其特征在于,所述氧化劑是臭氧溶液或SC1溶液。
13.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,進(jìn)一步包括在對(duì)基板實(shí)施少氣泡或無氣泡的預(yù)濕潤工藝之前,去除浮渣或毛刺以提高基板凹陷區(qū)域的表面光滑度。
14.一種基板清洗裝置,其特征在于,包括:
第一腔室,被配置為與泵相連以在第一腔室中形成真空環(huán)境;
基板保持裝置,被配置為設(shè)置在第一腔室中保持基板;
至少一個(gè)噴頭,被配置為向基板表面提供預(yù)濕潤化學(xué)藥液或化學(xué)藥霧以在基板上形成少氣泡或無氣泡的化學(xué)液層;以及
第二腔室,被配置有超聲波或兆聲波裝置以清洗基板。
15.如權(quán)利要求14所述的裝置,其特征在于,進(jìn)一步包括預(yù)處理單元,被配置為去除基板凹陷區(qū)域的浮渣或毛刺。
16.如權(quán)利要求14所述的裝置,其特征在于,所述第一腔室的真空度設(shè)置在25Torr及以上。
17.如權(quán)利要求14所述的裝置,其特征在于,進(jìn)一步包括旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置,被配置為與基板保持裝置相連。
18.一種基板清洗裝置,其特征在于,包括:
腔室,被配置為與泵相連以在腔室中形成真空環(huán)境;
基板保持裝置,被配置為設(shè)置在腔室中保持基板;
至少一個(gè)噴嘴,被配置為在腔室中形成真空環(huán)境后向基板表面提供預(yù)濕潤化學(xué)藥液或化學(xué)藥霧以在基板上形成少氣泡或無氣泡的化學(xué)液層;以及
超聲波或兆聲波裝置,被配置為清洗基板。
19.如權(quán)利要求18所述的裝置,其特征在于,進(jìn)一步包括預(yù)處理單元,被配置為去除基板凹陷區(qū)域的浮渣或毛刺。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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